[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201610943366.1
• 申請日: 2016-11-01
• 公開（公告）號: CN106803505B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 李庸碩;李正允;樸起寬;慎居明;金炫知;樸商德
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/08;H01L29/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;田野

公開一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：具有側壁的有源圖案，由設置在基底上的器件隔離圖案限定，并具有從器件隔離圖案的頂表面突出的上部；襯里絕緣層，位于有源圖案的側壁上；柵極結構，位于有源圖案上；以及源/漏區，位于柵極結構的兩側處。襯里絕緣層包括第一襯里絕緣層和具有比第一襯里絕緣層的頂表面高的頂表面的第二襯里絕緣層。每一個源/漏區包括由第二襯里絕緣層限定并覆蓋第一襯里絕緣層的頂表面的第一部分和從第二襯里絕緣層向上突出的第二部分。

本專利申請要求于2015年11月25日在韓國知識產權局提交的第10-2015-0165687號的韓國專利申請的優先權，該專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

示例性實施方式涉及一種半導體裝置，更具體地，涉及一種包括場效應晶體管的半導體裝置。

背景技術

由于半導體裝置的小尺寸、多功能特性和低制造成本，半導體裝置被廣泛用于電子工業中。半導體裝置可以被分類為存儲邏輯數據的半導體存儲器裝置、處理邏輯數據的半導體邏輯裝置以及具有半導體存儲器裝置的功能和半導體邏輯裝置的功能二者的混合半導體裝置中的任意一種。隨著電子工業的發展，已經越來越需要具有優異特性的半導體裝置。例如，已經越來越需要高可靠的、高速的和/或多功能的半導體裝置。為了滿足這些需求，半導體裝置已經高度集成并且半導體裝置的結構已經變得越來越復雜。

發明內容

在這里描述主題的示例性實施方式可以提供一種半導體裝置，所述半導體裝置包括具有提高的電特性的場效應晶體管。

在一方面，半導體裝置可以包括：具有側壁的有源圖案，被位于基底上的器件隔離圖案限定，并具有從器件隔離圖案的頂表面突出的上部；襯里絕緣層，位于有源圖案的側壁上；柵極結構，位于有源圖案上；以及源/漏區，位于柵極結構的兩側處。襯里絕緣層可以包括第一襯里絕緣層和具有比第一襯里絕緣層的頂表面高的頂表面的第二襯里絕緣層。每一個源/漏區可以包括由第二襯里絕緣層限定并覆蓋第一襯里絕緣層的頂表面的第一部分和從第二襯里絕緣層向上突出的第二部分。

在另一方面，半導體裝置可以包括：具有側壁的有源圖案，被位于基底上的器件隔離圖案限定，并具有從器件隔離圖案的頂表面突出的上部；襯里絕緣層，在有源圖案與器件隔離圖案之間延伸；柵極結構，位于有源圖案上；以及源/漏區，位于柵極結構的兩側處。襯里絕緣層的至少一部分可以從器件隔離圖案的頂表面突出以限定每一個源/漏區的下部。

在又一方面，半導體裝置可以包括：有源圖案，從基底突出；柵極結構，與有源圖案交叉；以及源/漏區，在柵極結構的兩側處。有源圖案可以包括與柵極結構疊置的第一部分和與源/漏區疊置的第二部分。有源圖案的第二部分的頂表面可以比有源圖案的第一部分的頂表面低。有源圖案的第二部分可以分別地插入源/漏區的下部中。

在一方面，包括具有側壁的有源圖案的半導體裝置被基底上的器件隔離圖案限定。有源圖案具有從器件隔離圖案的頂表面突出的上部和接觸基底的下部。該裝置還包括：襯里絕緣層，位于有源圖案的側壁上；柵極結構，與有源圖案交叉；以及源/漏區，位于柵極結構的兩側處。源/漏區的下部的水平生長寬度受襯里絕緣層約束，源/漏區的上部的水平生長寬度和豎直生長長度在襯里絕緣層的最高部上方不受約束。

附圖說明

考慮到附圖和下面的詳細描述，示例性實施方式將變得更加明顯。

圖1是示出根據一些示例性實施方式的半導體裝置的平面圖。

圖2A是沿圖1的線A-A’和線B-B’截取的剖視圖，圖2B和圖2C是分別沿圖1的線C-C’和線D-D’截取的剖視圖。

圖3A、圖3B和圖3C是圖2C的一部分的放大圖。

圖4是示出根據一些示例性實施方式的半導體裝置的平面圖。

圖5是沿圖4的線E-E’截取的剖視圖。