[發(fā)明專利]一種鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610941780.9 | 申請日： | 2016-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN108020939A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李萍;范寶泉 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津領(lǐng)芯科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/035 | 分類號： | G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 天津市三利專利商標代理有限公司 12107 | 代理人： | 張義 |
| 地址： | 300000 天津市北辰區(qū)北辰經(jīng)濟*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 鈮酸鋰 薄膜 qpsk 調(diào)制器 及其 制造 方法 | ||
1.一種鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器，其特征在于，包括：光學(xué)波導(dǎo)(2)、金屬薄膜電極(3)、石英基底晶片(5-1)、鈮酸鋰薄膜(5-2)，所述石英基底晶片(5-1)為光學(xué)級、雙面拋光的石英晶片，其厚度為0.1mm至2mm，所述鈮酸鋰薄膜(5-2)為光學(xué)級、具有單晶結(jié)構(gòu)、切向為X切Y傳、厚度為0.1μm至20μm，所述光學(xué)波導(dǎo)(2)為鈦擴散波導(dǎo)，其擴散寬度為0.1μm至10μm，擴散深度為0.1μm至10μm，所述金屬薄膜電極(3)具有行波結(jié)構(gòu)、厚度在0.1μm至30μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器，其特征在于，還包括用于進行鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器封裝的金屬封裝管殼，所述金屬封裝管殼包括：金屬封裝管殼殼體(6-1)、射頻同軸連接器(6-2)、相位調(diào)制器引腳(6-3)、光纖模塊(6-4)、光纖(6-5),鈮酸鋰薄膜晶片(5-2)裝載在金屬封裝管殼殼體(6-1)中,射頻同軸連接器(6-2)裝載在金屬封裝管殼殼體(6-1)的外壁上，通過鍵合引線將射頻同軸連接器(6-2)的管腳與鈮酸鋰薄膜晶片上的金屬薄膜電極(3)連接,相位調(diào)制器引腳(6-3)通過鍵合引線與鈮酸鋰薄膜晶片上的金屬薄膜電極(3)連接,鈮酸鋰薄膜(5-2)的光學(xué)波導(dǎo)(2)的輸入端與輸出端分別與光纖模塊(6-4)進行耦合粘接，將光纖(6-5)從金屬封裝管殼殼體(6-1)兩側(cè)穿出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器，其特征在于，所述金屬封裝管殼殼體(6-1)采用不銹鋼基體材料，射頻同軸連接器(6-2)采用SMA、K、V、GPO、GPPO、G3PO等同軸連接器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器，其特征在于，所述金屬薄膜電極(3)為金或鋁等金屬薄膜制成的電極結(jié)構(gòu)。
5.一種如權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)在光學(xué)級鈮酸鋰晶片上采用制作QPSK調(diào)制器光學(xué)波導(dǎo)圖形所需的鈦條圖形，鈦條寬度在0.1μm至10μm，鈦條厚度在10nm至200nm；
2)制作鈮酸鋰QPSK調(diào)制器的光學(xué)波導(dǎo)(2)，波導(dǎo)擴散寬度為0.1μm至10μm，擴散深度為0.1μm至10μm；
3)采用將鈮酸鋰晶片與石英基底晶片(5-1)進行鍵合；
4)將石英基底上的鈮酸鋰晶片減薄，厚度在0.1μm至20μm；
5)在鈮酸鋰薄膜上表面制作QPSK光調(diào)制器的金屬薄膜電極(3)，金屬薄膜厚度在0.1μm至30μm；
6)在鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器芯片的光學(xué)波導(dǎo)(2)的輸入端和輸出端通過光纖模塊(6-4)進行耦合粘接，放置于金屬封裝管殼殼體(6-1)中；
7)裝載射頻同軸連接器(6-2)，并將鈮酸鋰薄膜晶片上的金屬薄膜電極(3)與射頻同軸連接器(6-2)的管腳、相位調(diào)制器引腳(6-3)進行鍵合引線；
8)完成鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器的氣密性封裝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器的制造方法，其特征在于，所述金屬封裝管殼包括：金屬封裝管殼殼體(6-1)、射頻同軸連接器(6-2)、相位調(diào)制器引腳(6-3)、光纖模塊(6-4)、光纖(6-5)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器的制造方法，其特征在于，所述金屬封裝管殼殼體采用不銹鋼基體材料，射頻同軸連接器(6-2)采用SMA、K、V、GPO、GPPO、G3PO等同軸連接器。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鈮酸鋰薄膜QPSK光調(diào)制器的制造方法，其特征在于，所述金屬薄膜電極(3)為金或鋁金屬薄膜制成的行波結(jié)構(gòu)電極。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
