[發明專利]采用MoS2薄膜FET檢測葡萄糖溶液濃度的方法

有效

• 申請號: 201610941612.X
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN107037108B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 李金華;單俊杰;楚學影;翟英嬌;李雪;徐銘澤;金方軍
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: G01N27/414
• 分類號: G01N27/414
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所(普通合伙) 22210
• 代理人: 陶尊新

1.一種采用MoS₂薄膜FET檢測葡萄糖溶液濃度的方法，其特征在于，將MoS₂薄膜FET固定在盛有PBS溶液的樣品槽中，啟動半導體參數分析儀測得零濃度MoS₂薄膜FET的漏極電流I_ds；以PBS溶液為溶劑，在1～30mM濃度范圍內配制若干份濃度不同的葡萄糖溶液，與葡萄糖氧化酶GO_x一起先后加入到所述樣品槽中，由半導體參數分析儀逐一檢測與每份具有某一濃度葡萄糖溶液對應的MoS₂薄膜FET的漏極電流I_ds；由前述各個漏極電流I_ds組合建立檢測基礎數據庫；在實測中，將體積已知PBS溶液、體積已知但濃度未知的被測葡萄糖溶液與葡萄糖氧化酶GO_x一起加入所述樣品槽中，根據此時由半導體參數分析儀測得的MoS₂薄膜FET的漏極電流I_ds，結合所述檢測基礎數據庫，經過換算得出該被測葡萄糖溶液的濃度。

2.根據權利要求1所述的采用MoS₂薄膜FET檢測葡萄糖溶液濃度的方法，其特征在于，所述MoS₂薄膜FET采用以下方法制作：首先，用L-edit軟件設計光刻圖案，圖案尺寸與SiO₂/Si襯底尺寸相同，為1×1cm²，其中溝道寬度的設計為2μm、3μm、4μm、5μm四種中的一種，光刻后，利用電子束蒸金技術制備FET漏源電極，該漏源電極結構為Au/Ni，厚度為70nm/10nm；隨后，采用機械剝離法得到高鏡像MoS₂薄膜體材料，并通過金相顯微鏡觀察找到合適的器件工作區域；最后，在器件的背面用速干銀漿制備出FET背柵電極。

3.根據權利要求1所述的采用MoS₂薄膜FET檢測葡萄糖溶液濃度的方法，其特征在于，所述MoS₂薄膜FET的場效應遷移率μ≥10cm²/V·s。

4.根據權利要求1所述的采用MoS₂薄膜FET檢測葡萄糖溶液濃度的方法，其特征在于，所述PBS溶液的配制過程為：取KH₂PO₄、K₂HPO₄、K₃[Fe(CN)₆]、K₄Fe(CN)₆四種溶質，用量依次為1.08872g、1.82576g、0.7902g、1.013736g，以去離子水為溶劑，按0.1M的總濃度配制所述PBS溶液。