[發(fā)明專利]一種高亮度發(fā)光二極管芯片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610940578.4 | 申請日： | 2016-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN106410008B | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蘭葉;顧小云;黃龍杰;汪洋;李偉;馬雙彪;王江波 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 亮度 發(fā)光二極管 芯片 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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