[發明專利]GaSb基單管雙區結構短脈沖激光器及其制備方法在審
| 申請號： | 201610939768.4 | 申請日： | 2016-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN106300016A | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發明（設計）人： | 張克露;張宇;牛智川 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gasb 基單管雙區 結構 脈沖 激光器 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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