[發(fā)明專利]一種背鈍化晶硅太陽電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610938561.5
• 申請日: 2016-10-24
• 公開（公告）號: CN106449813B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂文輝;王行柱;朱訓(xùn)進(jìn);吳衛(wèi)平;黃維揚(yáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 王行柱;呂文輝
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 北京金智普華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11401
• 代理人: 楊采良

1.一種背鈍化晶硅太陽電池，其特征在于，所述背鈍化晶硅太陽電池背表面含有超薄氧化鋁及高功函數(shù)過渡金屬氧化物疊層鈍化膜，置于p型晶體硅和背電極之間；所述超薄氧化鋁及高功函數(shù)過渡金屬氧化物疊層鈍化膜用于鈍化接觸p型晶體硅背表面；

超薄氧化鋁層厚度為0.2nm～3nm；所述超薄氧化鋁層用于鈍化p型晶體硅背表面且能夠?qū)崿F(xiàn)空穴隧穿通過。

2.如權(quán)利要求1所述的背鈍化晶硅太陽電池，其特征在于，高功函數(shù)過渡金屬氧化物層為非化學(xué)計量比的氧化鉬(MoOx )、氧化鎢(WOx)或氧化釩(V2Ox)中的一種，厚度為10nm～100nm；所述高功函數(shù)過渡金屬氧化物疊層鈍化膜用于進(jìn)一步鈍化p型晶體硅背表面且能夠收集空穴并將其傳導(dǎo)至背電極。

3.一種如權(quán)利要求1所述的背鈍化晶硅太陽電池的制備方法，包括：

步驟一：清洗制絨、磷擴(kuò)散制pn結(jié)、濕法刻邊及背拋光去背結(jié)、去磷硅玻璃、淀積氮化硅減反射層；

步驟二：淀積超薄氧化鋁層；

步驟三：淀積高功函數(shù)過渡金屬氧化物層；

步驟四：印刷背電極、印刷正銀柵線電極、燒結(jié)工藝。

4.如權(quán)利要求3所述的背鈍化晶硅太陽電池的制備方法，其特征在于，采用原子層淀積的方法制備超薄氧化鋁層及采用熱蒸發(fā)法制備高功函數(shù)過渡金屬氧化物層。

5.如權(quán)利要求3所述的背鈍化晶硅太陽電池的制備方法，其特征在于，高功函數(shù)過渡金屬氧化物層采用等離子增強(qiáng)原子層淀積法制備。

6.如權(quán)利要求4所述的背鈍化晶硅太陽電池的制備方法，其特征在于，所述采用原子層淀積的方法制備超薄氧化鋁層具體包括：

以(CH3)3Al為鋁源、高純H2O為氧源，氮?dú)鉃檩d氣，150～200攝氏度的襯底溫度下交替反應(yīng)后獲得0.2～3nm厚的氧化鋁(AlOx )層。

7.如權(quán)利要求4所述的背鈍化晶硅太陽電池的制備方法，其特征在于，所述采用熱蒸發(fā)法制備高功函數(shù)過渡金屬氧化物層具體包括：

以純度大于99.9％的過渡金屬氧化物粉末為蒸發(fā)源，蒸發(fā)速率約0.05～0.2nm/S，通過控制熱蒸發(fā)時間獲得10～100nm厚的高功函數(shù)過渡金屬氧化物層。

8.一種利用權(quán)利要求1所述的背鈍化晶硅太陽電池為p型單晶硅太陽電池。

9.一種利用權(quán)利要求1所述的背鈍化晶硅太陽電池為p型多晶硅太陽電池。