[發(fā)明專利]EUV光刻用防塵薄膜組件中適宜的接著劑以及用該接著劑的防塵薄膜組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610937977.5 | 申請日: | 2016-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN106647161B | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 堀越淳 | 申請(專利權)人: | 信越化學工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F1/22;G03F1/62 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11280 | 代理人: | 郭廣迅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | euv 光刻 防塵 薄膜 組件 適宜 接著 以及 | ||
1.一種由防塵膜和防塵薄膜組件框架通過接著劑接著而構成的EUV光刻用防塵薄膜組件,其特征在于,所述接著劑為其硬化物在300℃的氛圍氣中7天連續(xù)靜置時的用下述式表示的硬度的變化率為±50%的范圍內(nèi)的環(huán)氧系接著劑,
式:硬度的變化率(%)={(所述靜置后的硬度)-(所述靜置前的硬度)}÷(所述靜置前的硬度)×100。
2.根據(jù)權利要求1所述的EUV光刻用防塵薄膜組件,其特征在于,EUV曝光時被暴露在200℃~300℃的溫度中。
3.一種由防塵膜和防塵薄膜組件框架通過接著劑接著而構成的EUV光刻用防塵薄膜組件的制造方法,其特征在于,包括將環(huán)氧系接著劑涂布于防塵薄膜組件框架的工程,所述環(huán)氧系接著劑的硬化物在300℃的氛圍氣中7天連續(xù)靜置時的用下述式表示的硬度的變化率為±50%的范圍內(nèi),
式:硬度的變化率(%)={(所述靜置后的硬度)-(所述靜置前的硬度)}÷(所述靜置前的硬度)×100。
4.一種適宜于EUV光刻用防塵薄膜組件中的接著劑的選擇方法,其為為了將EUV光刻用防塵薄膜組件的防塵膜接著于防塵薄膜組件框架的、適宜于EUV光刻用防塵薄膜組件的接著劑的選擇方法,其特征在于,將被試驗接著劑的硬化物在300℃的氛圍氣中連續(xù)7天靜置時的用下述式表示的硬度的變化率滿足±50%的范圍內(nèi)的條件的接著劑選為適宜于EUV光刻用防塵薄膜組件中的接著劑,
式:硬度的變化率(%)={(所述靜置后的硬度)-(所述靜置前的硬度)}÷(所述靜置前的硬度)×100。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





