[發明專利]薄膜裝置和薄膜裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201610937767.6
• 申請日: 2016-10-24
• 公開（公告）號: CN106935595A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 竹知和重;岡本守
• 申請（專利權）人: NLT科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華,何月華

1.一種薄膜裝置，包括：

樹脂膜，所述樹脂膜包括第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面；

第一無機層，所述第一無機層在所述第一表面上；

薄膜元件，所述薄膜元件在所述第一無機層上；以及

第二無機層，所述第二無機層在所述第二表面上，

其中，所述第二無機層的膜密度比所述第一無機層的膜密度大。

2.根據權利要求1所述的薄膜裝置，其中，所述第二無機層和所述樹脂膜通過粘接層粘接。

3.根據權利要求1所述的薄膜裝置，其中，與所述第二無機層和所述樹脂膜之間的界面的凹凸結構相比，所述第一無機層和所述樹脂膜之間的界面具有更長凹凸周期的凹凸結構。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的薄膜裝置，其中，所述第二無機層是氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鋁膜、以及氧化鉭膜中的任一者。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的薄膜裝置，其中，所述第二無機層具有包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鋁膜、以及氧化鉭膜中的至少兩種膜的層疊結構。

6.根據權利要求4或5所述的薄膜裝置，其中，構成所述第二無機層的氧化硅膜的膜密度大于或等于2.25g/cm³。

7.根據權利要求4或5所述的薄膜裝置，其中，構成所述第二無機層的氮化硅膜的膜密度大于或等于2.70g/cm³。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的薄膜裝置，其中，在所述第二無機層的不與所述樹脂膜面對的表面上形成包含鍺的表面層。

9.根據權利要求8所述的薄膜裝置，其中，包含鍺的所述表面層中的鍺以所述鍺與氧或氮化學鍵合的狀態存在。

10.根據權利要求8或9所述的薄膜裝置，其中，包含鍺的所述表面層中的鍺的濃度大于或等于1×10¹⁸cm^-3。

11.根據權利要求1至7中任一項所述的薄膜裝置，其中，在所述第二無機層的不與所述樹脂膜面對的表面上形成包含鉬的表面層。

12.根據權利要求11所述的薄膜裝置，其中，包含鉬的所述表面層中的鉬以所述鉬與氧或氮化學鍵合的狀態存在。

13.根據權利要求11或12所述的薄膜裝置，其中，包含鉬的所述表面層中的鉬的濃度大于或等于1×10¹⁸cm^-3。

14.根據權利要求1至13中任一項所述的薄膜裝置，其中，所述薄膜元件是這樣的顯示元件，所述顯示元件包括配置成矩陣狀的有源元件和像素顯示單元的組合單元。

15.根據權利要求14所述的薄膜裝置，其中，所述像素顯示單元是包括有機電致發光EL的顯示元件。

16.根據權利要求14所述的薄膜裝置，其中，所述像素顯示單元是包括液晶的顯示元件。

17.根據權利要求14至16中任一項所述的薄膜裝置，其中，所述有源元件是薄膜晶體管。

18.根據權利要求17所述的薄膜裝置，其中，所述薄膜晶體管的溝道活性層是氧化物半導體膜、非晶硅膜、多晶硅膜、微晶硅膜、以及有機半導體膜中的任一者。

19.根據權利要求1至13中任一項所述的薄膜裝置，其中，所述薄膜元件是使用硅的PIN結的薄膜太陽能電池、或者包括Cu-In-S或Cu-In-Se的黃銅礦類化合物的薄膜太陽能電池。

20.一種薄膜裝置的制造方法，包括：

在基板上形成氧化鍺膜或氧化鉬膜；

在所述氧化鍺膜或所述氧化鉬膜上形成第二無機層；

在所述第二無機層上形成樹脂膜；

在所述樹脂膜上形成第一無機層；

形成薄膜元件；以及

通過浸漬在水或水溶液中使所述氧化鍺膜或所述氧化鉬膜溶解，從而使所述基板和所述第二無機層剝離。

21.根據權利要求20所述的薄膜裝置的制造方法，其中，所述第二無機層的形成包括在大于或等于350℃的基板溫度下形成所述第二無機層、或者在形成所述第二無機層之后在大于或等于350℃的溫度下退火。