[發明專利]一種有源像素傳感器、驅動電路及驅動方法有效
| 申請號: | 201610937403.8 | 申請日: | 2016-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN106340514B | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發明(設計)人: | 楊盛際;董學;呂敬;陳小川;王磊;劉冬妮;盧鵬程;付杰;肖麗;岳晗 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有源 像素 傳感器 驅動 電路 方法 | ||
1.一種有源像素傳感器的驅動電路,其特征在于,所述驅動電路包括:重置模塊、光電感應模塊、信號形成模塊、驅動模塊和信號輸出模塊;
所述重置模塊與第一電壓端、復位信號端、所述光電感應模塊、所述信號形成模塊和所述驅動模塊連接,用于在所述復位信號端的復位信號的控制下,將所述第一電壓端的第一電壓信號傳輸至所述光電感應模塊和所述信號形成模塊;
所述光電感應模塊還與接地端、第一控制信號端和所述信號形成模塊連接,用于在入射光照射下和所述第一控制信號端的第一控制信號的控制下,向所述接地端放電并在放電后形成光電電壓信號;
所述信號形成模塊還與第二控制信號端和所述驅動模塊連接,用于在所述第二控制信號端的第二控制信號的控制下將所述光電電壓信號傳輸給所述驅動模塊;
所述信號輸出模塊與第二電壓端、第三控制信號端和所述驅動模塊連接,用于在所述第三控制信號端的第三控制信號的控制下將所述第二電壓端的第二電壓信號傳輸至所述驅動模塊;
所述驅動模塊,用于根據所述光電電壓信號形成柵極電壓信號,根據所述柵極電壓信號和第二電壓信號形成光電電流信號。
2.如權利要求1所述的驅動電路,其特征在于,所述重置模塊包括:
第一晶體管和第二晶體管;
所述第一晶體管的柵極與所述復位信號端連接,所述第一晶體管的第一極與所述第一電壓端連接,所述第一晶體管的第二極與所述光電感應模塊連接;
所述第二晶體管的柵極與所述復位信號端連接,所述第二晶體管的第一極與所述第一電壓端連接,所述第二晶體管的第二極與所述信號形成模塊和所述驅動模塊連接。
3.如權利要求2所述的驅動電路,其特征在于,所述光電感應模塊包括光電二極管、第三晶體管和第一電容,所述光電二極管的陽極與所述接地端連接,陰極與所述第三晶體管的第一極連接;
所述第三晶體管的柵極與所述第一控制信號端連接,所述第三晶體管的第二極與所述第一電容的第一端、所述第一晶體管的第二極和所述信號形成模塊連接,
所述第一電容的第二端接地。
4.如權利要求3所述的驅動電路,其特征在于,所述信號形成模塊包括第二電容、第四晶體管和第五晶體管;
所述第四晶體管的第一極與第一電容的第一端連接,所述第四晶體管的第二極與所述驅動模塊連接,所述四晶體管的柵極與所述第二控制信號端連接;
所述第五晶體管的第一極與所述驅動模塊連接,所述第五晶體管的第二極與所述第二電容的第一端連接,所述第五晶體管的柵極與所述第二控制信號端連接;
所述第二電容的第二端與所述第二電壓端連接。
5.如權利要求4所述的驅動電路,其特征在于,所述驅動模塊包括驅動晶體管,所述驅動晶體管的柵極與所述第二電容的第一端、所述第五晶體管的第二極和所述第二晶體管的第二極連接;
所述驅動晶體管的源極與所述信號輸出模塊、所述第五晶體管的第一極連接;
所述驅動晶體管的漏極與所述信號輸出模塊、所述第四晶體管的第二極連接。
6.如權利要求5所述的驅動電路,其特征在于,所述信號輸出模塊包括第六晶體管和第七晶體管,所述第六晶體管的柵極與所述第三控制信號端連接,所述第六晶體管的第一極與所述第二電壓端連接,所述第六晶體管的第二極與所述驅動晶體管的源極連接;
所述第七晶體管的柵極與所述第三控制信號端連接,所述第七晶體管的第一極與所述驅動晶體管的漏極連接,所述第七晶體管的第二極與所述驅動電路的輸出端連接。
7.如權利要求1至6任一項權利要求所述的驅動電路,其特征在于,所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管和驅動晶體管均為P型晶體管。
8.一種有源像素傳感器,其特征在于,所述有源像素傳感器包括如權利要求1至7任一項權利要求所述的驅動電路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





