[發明專利]電極的制作方法、薄膜晶體管及其制作方法、相關基板

在審

• 申請號: 201610936120.1
• 申請日: 2016-11-01
• 公開（公告）號: CN108022832A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 閆梁臣;徐曉光;蘭林鋒;王磊;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;華南理工大學
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種電極的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上制作至少一具有疏水性質的疏水結構，每一所述疏水結構包括位于邊緣區域的疏水突起和位于中間區域的疏水膜；

去除所述疏水膜；

在至少一疏水突起上制作導電溶液，使得所述導電溶液侵潤所述疏水突起，形成位于所述疏水突起兩側的電極；

去除所述疏水突起。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上制作至少一具有疏水性質的疏水結構，包括：

在基板上采用噴墨打印的方法印刷至少一具有疏水性質的疏水結構。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述疏水結構的材料為全氟樹脂材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述疏水膜，包括：

對制作有所述疏水結構的基板進行等離子體處理后對等離子體處理后的基板進行退火處理。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述等離子體處理的功率為30瓦到100瓦，等離子體處理時間為3分鐘到15分鐘。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為80℃到150℃，退火處理時間為5分鐘到20分鐘。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在至少一疏水突起上制作導電溶液之后，在去除所述疏水突起之前，還包括：

對制作有所述導電溶液的基板進行退火處理。

8.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除所述疏水突起，包括：

將制作有所述導電溶液的基板放入氟溶劑中浸泡。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述疏水膜后，保留的每一所述疏水突起在設定方向上的寬度小于等于第一預設值，每一所述疏水突起的高度大于第二預設值。

10.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一預設值為5微米，所述第二預設值為5納米。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板上制作的疏水結構在設定方向上的寬度大于等于10微米，所述疏水突起的高度大于10納米。

12.一種薄膜晶體管的制作方法，包括源極和漏極的制作方法，其特征在于，所述源極和所述漏極的制作采用權利要求1-11任一權利要求所述的電極的制作方法制作。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，具體包括：

在基板上制作至少一具有疏水性質的疏水結構，每一所述疏水結構包括位于邊緣區域的疏水突起和位于中間區域的疏水膜；

去除所述疏水膜；

在至少一疏水突起上制作導電溶液，使得所述導電溶液侵潤所述疏水突起，形成位于所述疏水突起兩側的源極和漏極；

去除所述疏水突起。