[發(fā)明專利]多層電容及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610935488.6
• 申請(qǐng)日: 2016-10-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107978591A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何永;馮駿;王者偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

1.一種多層電容的制造方法，其特征在于，包括：

在有源層表面形成兩個(gè)隔離凹槽和至少一個(gè)引出凹槽，其中全部所述引出凹槽位于所述兩個(gè)隔離凹槽之間,對(duì)所述兩個(gè)隔離凹槽和全部所述引出凹槽進(jìn)行氧化物填充；

在所述兩個(gè)隔離凹槽和全部所述引出凹槽之外的有源層表面上形成隧穿氧化層，并在所述隧穿氧化層和所述氧化物上形成浮柵層；

在每個(gè)所述引出凹槽中氧化物正上方的浮柵中，形成浮柵引出電極以將浮柵引出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在有源層表面形成兩個(gè)隔離凹槽和至少一個(gè)引出凹槽，包括：

在有源層上依次形成襯墊氧化層和硬掩膜層；

依次刻蝕所述硬掩膜層、所述襯墊氧化層和所述有源層；

在所述有源層表面形成兩個(gè)所述隔離凹槽和至少一個(gè)所述引出凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在有源層上依次形成襯墊氧化層和硬掩膜層，包括：

采用熱生長(zhǎng)工藝在所述有源層上形成襯墊氧化層；

采用氣相沉積工藝在所述襯墊氧化層上形成硬掩膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述依次刻蝕所述硬掩膜層、所述襯墊氧化層和所述有源層，包括：

采用干法刻蝕工藝依次刻蝕所述硬掩膜層、所述襯墊氧化層和所述有源層。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述兩個(gè)隔離凹槽和全部所述引出凹槽之外的有源層表面上形成隧穿氧化層，并在所述隧穿氧化層和所述氧化物上形成浮柵層，包括：

去除剩余的硬掩膜層和剩余的襯墊氧化層，使所述剩余的襯墊氧化層下方的有源層顯現(xiàn)出；

在顯現(xiàn)出的有源層上形成隧穿氧化層；

在所述隧穿氧化層和所述氧化物上形成浮柵層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在每個(gè)所述引出凹槽中氧化物正上方的浮柵中，形成浮柵引出電極以將浮柵引出，包括：

降低每個(gè)所述引出凹槽中的氧化物的高度，以形成浮柵引出電極區(qū)，在所述浮柵引出電極區(qū)中形成浮柵引出電極，以將所述浮柵引出。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述浮柵引出電極區(qū)中形成浮柵引出電極，包括：

在所述浮柵引出電極區(qū)中沉積金屬形成浮柵引出電極，所述浮柵引出電極與浮柵接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述金屬為鎢。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化層為二氧化硅。

10.一種多層電容，其特征在于,包括：

有源層；

隔離凹槽和引出凹槽，位于所述有源層中；

其中，所述隔離凹槽的個(gè)數(shù)為兩個(gè)，所述引出凹槽的個(gè)數(shù)為至少一個(gè),全部所述引出凹槽位于兩個(gè)所述隔離凹槽之間，所述兩個(gè)隔離凹槽和全部所述引出凹槽中填充有氧化物；

隧穿氧化層，位于所述兩個(gè)隔離凹槽和全部所述引出凹槽之外的有源層和所述氧化物上；

浮柵層，位于所述隧穿氧化層上；

浮柵引出電極，個(gè)數(shù)為至少一個(gè)，分別位于每個(gè)所述引出凹槽中氧化物正上方的浮柵中。