[發明專利]一種二氧化釩復合薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201610935366.7
• 申請日: 2016-11-01
• 公開（公告）號: CN108018532B
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 金平實;龍世偉;包山虎;曹遜;周懷娟
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58
• 代理公司: 31261 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 曹芳玲;鄭優麗<國際申請>=<國際公布>

1.一種二氧化釩復合薄膜，其特征在于，包括基板、依次形成于所述基板表面的第一保護增透層、二氧化釩調光層和第二保護增透層，所述第一保護增透層或/和第二保護增透層的化學式為WO_3-x，其中0＜x＜0.9或M_yWO₃，其中0＜y≤1，M為Cs、Rb、K、Na、Li、Be、Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一種；所述第一保護增透層的厚度為20～300 nm；所述第二保護增透層的厚度為20～300 nm；所述二氧化釩調光層的厚度為20～100nm。

2.根據權利要求1所述的二氧化釩復合薄膜，其特征在于，所述第一保護增透層或/和第二保護增透層的厚度為20～200nm。

3.根據權利要求1所述的二氧化釩復合薄膜，其特征在于，所述二氧化釩復合薄膜還包括形成于所述第二增透層上的功能層。

4.根據權利要求3所述的二氧化釩復合薄膜，其特征在于，所述功能層的化學組成為二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋅、氮化硅、氮化鎵中的至少一種。

5.根據權利要求3所述的二氧化釩復合薄膜，其特征在于，所述功能層的厚度為20～300nm。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的二氧化釩復合薄膜，其特征在于，所述基板為普通玻璃、導電玻璃、金屬、硅片、電路板、透明高分子膜或陶瓷基板。

7.一種如權利要求1-6中任一項所述二氧化釩復合薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

采用磁控濺射方法，在所述基材表面依次沉積第一保護增透層、二氧化釩調光層、和第二保護增透層，或者在所述基材表面依次沉積第一保護增透層、二氧化釩調光層、第二保護增透層、和功能層，得到復合薄膜；

將所得復合薄膜于真空中在300～600℃下退火處理3～15分鐘后隨爐冷卻，得到所述二氧化釩復合薄膜。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，以氧化鎢或/和金屬鎢為濺射靶材、氬氣和氧氣為濺射氣體，控制第一氧分壓為30-60%，沉積所述第一保護增透層或/和第二保護增透層；或者以氧化鎢或金屬鎢、以及金屬M為靶材，氬氣和氧氣為濺射氣體，控制第一氧分壓為30-60%，所述第一保護增透層或/和第二保護增透層。

9.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射方法的參數包括：背底真空度高于5×10^-4Pa；沉積時間3～30 min；工作總壓強0.5～5Pa。