[發(fā)明專利]具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610935023.0 | 申請日： | 2016-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN106601290B | 公開（公告）日： | 2018-10-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張琪;陳后鵬;宋志棠 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 羅泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 溫度 跟隨 特性 相變 存儲器 電路 | ||
1.一種具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于，所述相變存儲器讀電路包括：參考相變存儲陣列、相變存儲陣列、參考相變存儲單元地址寄存模塊、參考電流產(chǎn)生模塊、鉗位電壓產(chǎn)生模塊及電流比較模塊；
所述參考相變存儲陣列包括多個參考陣列，每個參考陣列包括高阻值陣列及低阻值陣列；通過對所述相變存儲陣列不同位置的溫度采樣，利用所述參考相變存儲陣列中高低阻相變單元的溫度特性，提供具有溫度跟隨特性的參考電流；
所述參考相變存儲單元地址寄存模塊用于控制所述參考相變存儲陣列字線地址的選通；
所述鉗位電壓產(chǎn)生模塊用于提供所述參考相變存儲陣列和相變存儲陣列讀操作時的鉗位電壓；
所述參考電流產(chǎn)生模塊用于獲得具有溫度跟隨特性的參考電流；
所述相變存儲陣列用于產(chǎn)生相變存儲單元的位線電流；
所述電流比較模塊用于在讀操作下比較所述參考電流產(chǎn)生模塊產(chǎn)生的參考電流及所述相變存儲器中相變存儲單元的位線電流，從而得到相變存儲器的存儲數(shù)據(jù)；
在寫操作時，每次只允許所述參考相變存儲單元地址寄存模塊有一個寄存器輸出為1；在讀操作時，每次允許所述參考相變存儲單元地址寄存模塊多個寄存器輸出同時為1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于：所述高阻值陣列和低阻值陣列均包含一個以上的參考存儲單元，所述高阻值陣列中的參考存儲單元通過RESET操作后實(shí)現(xiàn)高電阻值，所述低阻值陣列中的參考存儲單元通過SET操作后實(shí)現(xiàn)低電阻值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于：所述參考存儲單元包括一個相變單元和一個選通單元，所述相變單元的一端與位線相連，另一端通過選通單元連接到地，所述選通單元的控制端與字線相連，所有所述參考存儲單元的位線相互獨(dú)立，同一位線上懸掛的虛擬單元和參考存儲單元的總數(shù)與相變存儲陣列一條位線上懸掛的總相變存儲單元數(shù)相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于：所述虛擬單元與所述參考存儲單元結(jié)構(gòu)相同，包括一個相變單元和一個選通單元，所述相變單元的一端與位線相連，另一端通過選通單元連接到地，且所述選通單元的控制端與地相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于：各個高阻值陣列中相同編號的參考存儲單元，其選通單元的控制端連接到同一字線；各個低阻值陣列中相同編號的參考存儲單元，其選通單元的控制端連接到同一字線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于：所述相變存儲陣列由多個BLOCK區(qū)塊組成，每個BLOCK區(qū)塊分別與一個對應(yīng)的參考陣列在物理位置上靠近，從而實(shí)現(xiàn)所述參考相變存儲陣列對所述相變存儲陣列不同位置的溫度采樣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于：所述參考相變存儲單元地址寄存模塊輸出狀態(tài)根據(jù)在不同環(huán)境溫度下的讀操作誤讀率進(jìn)行修正。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于：所述參考電流產(chǎn)生模塊包含多個第一級傳輸門、多個第一級PMOS管、多個NMOS管和一個第二級傳輸門、一個第二級PMOS管，所述第一級PMOS管源端通過所述第一級傳輸門連接到電源，所述第一級PMOS管采用二極管連接后柵端與第二級PMOS管柵端互聯(lián)，所述NMOS管的漏端與對應(yīng)的所述第一級PMOS管源端相連，源端分別與所述參考相變存儲陣列中對應(yīng)位線相連，柵端都與所述鉗位電壓產(chǎn)生模塊的輸出相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于：讀操作進(jìn)行時，所述參考電流產(chǎn)生模塊工作，產(chǎn)生參考電流；寫操作時，所述參考電流產(chǎn)生模塊關(guān)閉，不產(chǎn)生參考電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溫度跟隨特性的相變存儲器讀電路，其特征在于：所述鉗位電壓依據(jù)所述高阻值陣列及低阻值陣列中的參考單元等效電阻可調(diào)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610935023.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
