[發明專利]碳納米管的表征方法有效
| 申請號： | 201610933463.2 | 申請日： | 2016-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN108020572B | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發明（設計）人： | 李東琦;魏洋;姜開利;范守善 | 申請（專利權）人： | 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | G01N23/2251 | 分類號： | G01N23/2251 |
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| 地址： | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 表征 方法 | ||
1.一種碳納米管的表征方法，其包括以下步驟：
提供一導電基底，該導電基底上設置一層絕緣層，所述絕緣層的材料為氧化物或者高分子材料，所述絕緣層的厚度為50-300納米；
在所述絕緣層上設置一碳納米管結構；
將碳納米管結構放置在掃描電鏡下，調整掃描電鏡的加速電壓為5-20千伏，駐留時間為6-20微秒，放大倍數為1萬-10萬倍，采用掃描電鏡對所述碳納米管結構拍攝照片；以及
獲得碳納米管結構的照片，碳納米管結構中的碳納米管分布在照片襯底上，所述碳納米管結構的照片中，比襯底顏色淺的碳納米管為金屬型碳納米管；比襯底顏色深的碳納米管為半導體型碳納米管。
2.如權利要求1所述的碳納米管的表征方法，其特征在于，所述導電基底的材料為金屬、導電有機物或摻雜的導電材料。
3.如權利要求1所述的碳納米管的表征方法，其特征在于，所述碳納米管結構包括一根或多根碳納米管。
4.如權利要求1所述的碳納米管的表征方法，其特征在于，所述碳納米管結構包括多根碳納米管，該多根碳納米管包括金屬型碳納米管和半導體型碳納米管。
5.如權利要求4所述的碳納米管的表征方法，其特征在于，所述多根碳納管平行于絕緣層的表面。
6.如權利要求1所述的碳納米管的表征方法，其特征在于，所述掃描電鏡的加速電壓為15-20千伏。
7.如權利要求1所述的碳納米管的表征方法，其特征在于，所述駐留時間為10-20微秒。
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