[發明專利]生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱及其制備方法有效
| 申請號： | 201610931940.1 | 申請日： | 2016-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN106384761B | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發明（設計）人： | 李國強;楊美娟;林云昊;李媛 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 羅觀祥 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 鋁酸鍶鉭鑭 襯底 ingan gan 納米 多量 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
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