[發明專利]一種倒裝芯片封裝的片上系統

在審

• 申請號: 201610930989.5
• 申請日: 2016-10-31
• 公開（公告）號: CN108022911A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 楊勁松
• 申請（專利權）人: 深圳市中興微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60;H01L23/52;H01L23/528
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 蔣雅潔;張穎玲

1.一種倒裝芯片封裝的片上系統，所述片上系統的第一知識產權IP核連接模擬電源BUMP(2)和模擬地BUMP(3)，其特征在于，所述第一IP核(1)與所述模擬電源BUMP(2)通過第一導線(7)連接，所述第一IP核(1)和所述模擬地BUMP3通過第二導線(8)連接，所述第一導線(7)和第二導線(8)之間連接有第一保護電路(5)。

2.根據權利要求1所述的片上系統，其特征在于，數字地BUMP(4)通過第二保護電路(6)連接到所述第二導線(8)上。

3.根據權利要求1或2所述的片上系統，其特征在于，所述第一保護電路5與所述模擬電源BUMP(2)之間的距離遠小于所述第一保護電路(2)與所述IP核之間的距離；所述第一保護電路(5)與所述模擬地BUMP3之間的距離遠小于所述第一保護電路(5)與所述IP核之間的距離。

4.根據權利要求3所述的片上系統，其特征在于，所述第一導線(7)和/或第二導線(8)為多層金屬線。

5.根據權利要求4所述的片上系統，其特征在于，所述模擬電源BUMP(2)經過第一保護電路(5)至模擬地BUMP(3)間的電阻小于0.2歐姆。

6.根據權利要求2所述的片上系統，其特征在于，所述數字地BUMP(4)與所述第二保護電路(6)之間通過多層金屬線連接，所述第二保護電路(6)與所述第二導線(8)之間通過多層金屬線連接。

7.根據權利要求6所述的片上系統，其特征在于，所述數字地BUMP(4)經過第二保護電路(6)至所述模擬地BUMP(3)間的電阻小于0.2歐姆。

8.根據權利要求1或2所述的片上系統，其特征在于，所述第一保護電路(5)包括檢測部分、觸發部分和釋放部分。

9.根據權利要求8所述的片上系統，其特征在于，所述檢測部分包括RC檢測電路，所述觸發部分包括反相器電路，所述釋放部分包括場效應管。

10.根據權利要求1或2所述的片上系統，其特征在于，所述第二保護電路(6)包括兩個反向并聯的二極管。