[發(fā)明專利]封裝基板、覆晶式封裝及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610929466.9
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號(hào): CN107086213A
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蕭友享;楊秉豐;邵郁琇;林光隆
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種封裝基板，包括：

一基板本體，具有相對的一第一基板表面與一第二基板表面；

多數(shù)個(gè)金屬導(dǎo)線，配置在該基板本體的該第一基板表面上，該些金屬導(dǎo)線各具有一上導(dǎo)線表面與至少一個(gè)側(cè)導(dǎo)線表面；以及

一薄膜，形成在該些金屬導(dǎo)線的該至少一個(gè)側(cè)導(dǎo)線表面上，其中所述薄膜對焊料的潤濕性小于所述上導(dǎo)線表面。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中該薄膜的材質(zhì)包括介電材料。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中該薄膜的材質(zhì)包括該些金屬導(dǎo)線的氧化物。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中該薄膜的厚度介于0.1至1.0微米。

5.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中該金屬導(dǎo)線包括至少一可氧化金屬層與一抗氧化金屬層，且該薄膜形成在該可氧化金屬層的側(cè)導(dǎo)線表面。

6.一種覆晶式封裝，包括：

一晶粒，具有相對的一第一晶粒表面與一第二晶粒表面，該第一晶粒表面具有多數(shù)個(gè)連接墊；

多數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱，配置在該些連接墊上并電性連接至該些連接墊；

一基板本體，具有相對的一第一基板表面與一第二基板表面；

多數(shù)個(gè)金屬導(dǎo)線，配置在該基板本體的該第一基板表面上，該些金屬導(dǎo)線各具有一上導(dǎo)線表面與至少一個(gè)側(cè)導(dǎo)線表面；

一薄膜，形成在該些金屬導(dǎo)線的該至少一個(gè)側(cè)導(dǎo)線表面上，其中所述薄膜對焊料的潤濕性小于所述上導(dǎo)線表面；以及

多數(shù)個(gè)焊料層，配置在該些金屬導(dǎo)線的該些上導(dǎo)線表面與該些導(dǎo)電柱之間，并電性連接該些導(dǎo)電柱與該些金屬導(dǎo)線。

7.如權(quán)利要求6所述的覆晶式封裝，其中該薄膜的厚度介于0.1至1.0微米。

8.如權(quán)利要求6所述的覆晶式封裝，其中該些金屬導(dǎo)線各具有一導(dǎo)線寬度，該些導(dǎo)電柱各具有一柱寬度，該柱寬度除以該導(dǎo)線寬度的值是介于0.8～2.5。

9.一種封裝基板的制造方法，包括：

提供一基板本體，該基板本體具有相對的一第一基板表面與一第二基板表面；

于該基板本體的該第一基板表面上形成多數(shù)個(gè)金屬導(dǎo)線，該些金屬導(dǎo)線各包括至少一可氧化金屬層與一抗氧化金屬層，該些抗氧化金屬層位在該些金屬導(dǎo)線的上部分；以及

對該些金屬導(dǎo)線進(jìn)行氧化工藝，以在該些金屬導(dǎo)線的該些可氧化金屬層的該至少一個(gè)側(cè)導(dǎo)線表面上形成一薄膜。

10.如權(quán)利要求9所述的封裝基板的制造方法，其中形成厚度介于0.1至1.0微米的該薄膜。