[發明專利]高壓LDMOS器件及其制作方法有效
| 申請號： | 201610929239.6 | 申請日： | 2016-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN106409883A | 公開（公告）日： | 2017-02-15 |
| 發明（設計）人： | 毛焜 | 申請（專利權）人： | 上海晶豐明源半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【說明書】：
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