[發明專利]磁性薄膜沉積腔室及薄膜沉積設備

有效

• 申請號: 201610929208.0
• 申請日: 2016-10-31
• 公開（公告）號: CN108010718B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 楊玉杰;張同文;夏威;丁培軍;王厚工
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01F41/22
• 分類號: H01F41/22;H01F7/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種磁性薄膜沉積腔室，包括腔室主體，在所述腔室主體內設置有基座，用以承載待加工工件，其特征在于，還包括偏置磁場裝置，所述偏置磁場裝置用于在所述基座上方形成水平磁場，所述水平磁場用于在所述待加工工件上沉積具有面內各向異性的磁性膜層；

所述偏置磁場裝置包括：環繞所述基座設置的磁體組，所述磁體組用于在所述基座上方形成所述水平磁場；

所述磁體組包括兩組呈圓弧狀的子磁體組，二者對稱環繞在所述基座的兩側；

每組所述子磁體組包括多個磁柱，且所述多個磁柱沿所述基座的周向間隔分布。

2.根據權利要求1所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，每組所述子磁體組中，各個所述磁柱的磁極方向相互平行。

3.根據權利要求1所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，每組所述子磁體組中，各個所述磁柱的磁極方向沿所述基座的徑向設置。

4.根據權利要求2或3所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，每個所述磁柱水平設置，且其中一個所述子磁體組中的每個所述磁柱的N極與其中另一個所述子磁體組中的每個所述磁柱的S極均朝向基座。

5.根據權利要求2或3所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，每個所述磁柱豎直設置，且其中一個所述子磁體組中的每個所述磁柱的N極與其中另一個所述子磁體組中的每個所述磁柱的S極均豎直向上。

6.根據權利要求2或3所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，每個所述磁柱傾斜設置，且其中一個所述子磁體組中的每個所述磁柱的N極與其中另一個所述子磁體組中的每個所述磁柱的S極均朝向靠近所述基座的方向傾斜向上。

7.根據權利要求1所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，在所述多個磁柱中，靠近圓弧兩端的一部分磁柱的分布密度小于靠近圓弧中間的另一部分磁柱的分布密度。

8.根據權利要求1所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，每組所述子磁體組所對應的弦長大于或等于待加工工件直徑。

9.根據權利要求1-3，7-8任意一項所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，所述偏置磁場裝置包括：

支撐板，用于支撐所述磁體組；

內固定板和外固定板，設置在所述支撐板上，且分別位于所述磁體組的內側和外側，用以分別固定所述磁體組的兩端磁極；

上蓋，位于所述磁體組的上方，且分別與所述外固定板和內固定板固定連接；

所述磁體組位于所述支撐板、所述外固定板、所述內固定板和所述上蓋所圍成的空間內。

10.根據權利要求1-3，7-8任意一項所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，所述磁性薄膜沉積腔室還包括遮蔽組件，所述遮蔽組件用于遮蔽所述偏置磁場裝置，防止靶材材料沉積在所述偏置磁場裝置上。

11.根據權利要求10所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，所述遮蔽組件包括：

屏蔽件，所述屏蔽件包括第一豎直部、水平部和第二豎直部，所述第一豎直部環繞設置在所述腔室主體的側壁內側，所述水平部的外周緣與所述第一豎直部的下端連接，所述水平部的內周緣與所述第二豎直部的上端連接；

所述水平部和第二豎直部分別位于所述偏置磁場裝置的上方和內側。

12.根據權利要求11所述的磁性薄膜沉積腔室，其特征在于，所述磁性薄膜沉積腔室還包括，支撐件和壓環，其中，

所述壓環用于壓住所述待加工工件上表面的邊緣區域；

所述支撐件與所述第二豎直部的下端連接，用以支撐所述壓環。