[發明專利]基于三維偏置印錄存儲器的三維封裝在審
| 申請號: | 201610927271.0 | 申請日: | 2016-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN107978516A | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發明(設計)人: | 張國飆 | 申請(專利權)人: | 杭州海存信息技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 310051 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 三維 偏置 存儲器 封裝 | ||
1.一種基于三維偏置印錄存儲器(3D-oP)的三維封裝(3D2-oP),含有相互堆疊的第一和第二3D-oP芯片,其特征在于:
第一3D-oP芯片含有第一和第二數據錄入膜,且該第二數據錄入膜位于該第一數據錄入膜上方,該第一數據錄入膜存儲第一數碼陣列,該第二數據錄入膜存儲第二數碼陣列;
第二3D-oP芯片含有第三和第四數據錄入膜,且該第四數據錄入膜位于該第三數據錄入膜上方,該第三數據錄入膜存儲第三數碼陣列,該第四數據錄入膜存儲第四數碼陣列;
在同一批次的3D2-oP封裝中,所有3D2-oP封裝均含有同樣一組數碼陣列集合;至少兩個3D2-oP封裝的數碼陣列序列不同。
2.根據權利要求1所述的三維封裝,其特征還在于:該第一3D-oP芯片含有第一和第二存儲層,且該第二存儲層位于該第一存儲層上方,該第一存儲層含有該第一數據錄入膜,該第二存儲層含有該第二數據錄入膜。
3.根據權利要求2所述的三維封裝,其特征還在于含有:第一可設置輸入電路,該第一可設置輸出電路根據該第一3D-oP芯片中數碼陣列序列設置該第一3D-oP芯片的輸入。
4.根據權利要求1所述的三維封裝,其特征還在于:該第二3D-oP芯片含有第三和第四存儲層,且該第四存儲層位于該第三存儲層上方,該第三存儲層含有該第三數據錄入膜,該第四存儲層含有該第四數據錄入膜。
5.根據權利要求4所述的三維封裝,其特征還在于含有:第二可設置輸入電路,該第二可設置輸出電路根據該第二3D-oP芯片中數碼陣列序列設置該第二3D-oP芯片的輸入。
6.根據權利要求1所述的三維封裝,其特征還在于:該第一3D-oP芯片含有第一存儲層,該第一存儲層含有該第一和第二數據錄入膜。
7.根據權利要求6所述的三維封裝,其特征還在于含有:第一可設置輸出電路,該第一可設置輸出電路根據該第一3D-oP芯片中數碼陣列序列設置該第一3D-oP芯片的輸出。
8.根據權利要求1所述的三維封裝,其特征還在于:該第二3D-oP芯片含有第二存儲層,該第二存儲層含有該第三和第四數據錄入膜。
9.根據權利要求8所述的三維封裝,其特征還在于含有:第二可設置輸出電路,該第二可設置輸出電路根據該第二3D-oP芯片中數碼陣列序列設置該第二3D-oP芯片的輸出。
10.根據權利要求1所述的三維封裝,其特征還在于:所述數據錄入膜中的數據圖形由光刻法(photo-lithography)或壓印法(imprint-lithography)形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





