[發(fā)明專(zhuān)利]三維封裝的偏置印錄方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610926437.7
• 申請(qǐng)日: 2016-10-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107977478A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張國(guó)飆
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 杭州海存信息技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F17/50
• 分類(lèi)號(hào): G06F17/50;H01L27/112
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種基于三維偏置印錄存儲(chǔ)器（3D-oP）三維封裝的偏置印錄方法，其特征在于包括如下步驟：

1）在一半導(dǎo)體晶圓上形成一襯底電路，該晶圓含有相鄰的第一、第二和第四3D-oP芯片，該第二3D-oP芯片在y方向上與該第一3D-oP芯片相鄰，該第四3D-oP芯片在x方向上與該第一3D-oP芯片相鄰；

2）第一印錄步驟，該第一印錄步驟將第一掩膜圖形轉(zhuǎn)移到該第一、第二和第四3D-oP芯片中的第一數(shù)據(jù)錄入膜中，在該第一印錄步驟開(kāi)始時(shí)，該數(shù)據(jù)掩膜版的原點(diǎn)與該第一芯片的原點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)；

3）第二印錄步驟，該第二印錄步驟將第二掩膜圖形轉(zhuǎn)移到該第一、第二和第四3D-oP芯片中的第二數(shù)據(jù)錄入膜中，在該第二印錄步驟開(kāi)始時(shí)，該數(shù)據(jù)掩膜版的原點(diǎn)與該第二芯片的原點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)；

所述第一和第二掩膜圖形來(lái)自同一數(shù)據(jù)掩膜版，該第一和第四3D-oP芯片在該三維封裝中垂直堆疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置印錄方法，其特征還在于：該數(shù)據(jù)掩膜版含有多個(gè)掩膜區(qū)域，該多個(gè)掩膜區(qū)域中的掩膜圖形對(duì)應(yīng)于所述第一和第二掩膜圖形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏置印錄方法，其特征還在于：該3D-oP含有至少第一和第二存儲(chǔ)層，且該第二存儲(chǔ)層位于該第一存儲(chǔ)層上方，該第一數(shù)據(jù)錄入膜位于該第一存儲(chǔ)層中，該第二數(shù)據(jù)錄入膜位于該第二存儲(chǔ)層中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的偏置印錄方法，其特征還在于：在該第一印錄步驟中，該第一掩膜區(qū)域中的掩膜圖形被轉(zhuǎn)移到該第一芯片的第一數(shù)據(jù)錄入膜中。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的偏置印錄方法，其特征還在于：在該第二印錄步驟中，該第一掩膜區(qū)域中的掩膜圖形被轉(zhuǎn)移到該第二芯片的第二數(shù)據(jù)錄入膜中。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏置印錄方法，其特征還在于：該3D-oP含有至少一存儲(chǔ)層，該第一和第二數(shù)據(jù)錄入膜位于該存儲(chǔ)層中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的偏置印錄方法，其特征還在于：在該第一印錄步驟中，該第一掩膜區(qū)域中的掩膜圖形被轉(zhuǎn)移到該第一芯片的第一數(shù)據(jù)錄入膜中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的偏置印錄方法，其特征還在于：在該第二印錄步驟中，該第一掩膜區(qū)域中的掩膜圖形被轉(zhuǎn)移到該第二芯片的第二數(shù)據(jù)錄入膜中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置印錄方法，其特征還在于：該芯片所需數(shù)據(jù)掩膜版的數(shù)目小于該芯片中數(shù)據(jù)錄入膜的數(shù)目。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置印錄方法，其特征還在于：所述數(shù)據(jù)錄入膜中的數(shù)據(jù)圖形由光刻法（photo-lithography）或壓印法（imprint-lithography）形成。