[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201610925896.3
• 申請日: 2016-10-31
• 公開（公告）號: CN108022841B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 曲瑞

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底結構，所述襯底結構包括：襯底、在所述襯底上的半導體鰭片、以及在所述半導體鰭片兩側的隔離區，其中，所述半導體鰭片的頂表面與所述隔離區的頂表面基本齊平；

對所述半導體鰭片和所述隔離區執行溝道停止離子注入，以在所述半導體鰭片和所述隔離區中形成雜質區；

對所述隔離區進行回刻，以露出所述半導體鰭片的一部分，回刻后剩余的隔離區的上表面高于所述雜質區的上表面；

在回刻后，執行退火工藝，以激活所述雜質區中的雜質。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供襯底結構的步驟包括：

提供初始襯底；

在所述初始襯底上形成圖案化的硬掩模；

以所述硬掩模為掩膜對所述初始襯底進行刻蝕，從而形成所述襯底、所述半導體鰭片和在所述半導體鰭片兩側的凹陷；

沉積隔離材料以填充所述凹陷并覆蓋所述硬掩模；

對所述隔離材料進行平坦化，以使得剩余的隔離材料的頂表面與所述硬掩模的頂表面基本齊平；

對剩余的隔離材料進行回刻蝕，以露出所述硬掩膜；

去除所述硬掩模，從而形成所述襯底結構。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在沉積隔離材料之前，還包括：

在所述襯底和所述半導體鰭片的表面形成襯墊層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述隔離區進行回刻包括：

去除所述隔離區的一部分；

去除露出的襯墊層，以露出所述半導體鰭片的一部分。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在執行溝道停止離子注入之前，還包括：

在所述襯底結構上沉積硅的氧化物層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底結構包括在所述襯底上的多個半導體鰭片。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述執行溝道停止離子注入包括：

對所述半導體鰭片和所述隔離區進行P型離子注入。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，

所述P型離子注入所注入的離子包括硼離子或二氟化硼離子。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述執行溝道停止離子注入包括：

對所述半導體鰭片和所述隔離區進行N型離子注入。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，

所述N型離子注入所注入的離子包括砷離子或磷離子。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底包括阱區，所述阱區與所述雜質區具有相同的導電類型，所述阱區的摻雜濃度小于所述雜質區的摻雜濃度。