1.一種肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為第一導電半導體材料；
漂移層，為第一導電半導體材料，位于襯底層之上；多個
溝槽，位于漂移層和襯底中，溝槽側壁設置絕緣層，溝槽底部沒有絕緣層；
導電材料，位于溝槽底部，為金屬，或者為高濃度雜質摻雜的多晶硅或無定形硅，此時導電材料下部為第一導電雜質摻雜，導電材料上部為第二導電雜質摻雜；
溝槽下部半導體材料，位于溝槽內下部，導電材料之上，上下依次為第一導電半導體材料和第二導電半導體材料；
溝槽上部半導體材料，位于溝槽內上部，上下依次為第一導電半導體材料和第二導電半導體材料；
肖特基勢壘結，位于溝槽之間漂移層表面。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的金屬與溝槽下部半導體材料為歐姆接觸。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽下部第二導電半導體材料為通過導電材料雜質擴散形成。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽上部半導體材料，在溝槽表面，為第一導電半導體材料和第二導電半導體材料橫向交替排列。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：半導體裝置表面設置電極金屬，連接肖特基勢壘結和溝槽上部半導體材料。
6.一種肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為第二導電半導體材料；
導電材料，位于襯底層上部，為金屬，或者為高濃度雜質摻雜的多晶硅或無定形硅，此時導電材料下部為第二導電雜質摻雜，導電材料上部為第一導電雜質摻雜；
漂移層，為第一導電半導體材料，位于導電材料之上；多個
溝槽，位于漂移層到襯底中，溝槽側壁設置絕緣層，溝槽底部沒有絕緣層；
溝槽下部半導體材料，位于溝槽內下部，上下依次為第一導電半導體材料和第二導電半導體材料；
溝槽上部半導體材料，位于溝槽內上部，上下依次為第一導電半導體材料和第二導電半導體材料；
肖特基勢壘結，位于溝槽之間漂移層表面。
7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述的金屬與襯底層和漂移層為歐姆接觸。
8.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽下部第二導電半導體材料為通過襯底層雜質擴散形成。
9.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽上部半導體材料，在溝槽表面，為第一導電半導體材料和第二導電半導體材料橫向交替排列。
10.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：半導體裝置表面設置電極金屬，連接肖特基勢壘結和溝槽上部半導體材料。
