[發明專利]形成半導體裝置的方法及其結構在審
| 申請號： | 201610922527.9 | 申請日： | 2016-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN106487309A | 公開（公告）日： | 2017-03-08 |
| 發明（設計）人： | 村田勉 | 申請（專利權）人： | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號： | H02P25/032 | 分類號： | H02P25/032;H02P25/06 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人： | 金曉 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 半導體 裝置 方法 及其 結構 | ||
【說明書】：
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