[發明專利]一種減小壓阻傳感器溫度漂移的方法

有效

• 申請號: 201610922483.X
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN106525326B
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 王璐珩
• 申請（專利權）人: 中南大學
• 主分類號: G01L19/04
• 分類號: G01L19/04;G01L1/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種減小壓阻傳感器溫度漂移的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：在聚酰亞胺薄膜上覆合一片邊長為3.68毫米的小正方形金屬電極和一片邊長為2.66厘米的大正方形金屬電極作為底層封裝薄膜，將底層封裝薄膜固定于旋轉平臺上備用；將長度10微米、直徑15納米的碳納米管、聚二甲基硅氧烷和正己烷按5∶100∶1000的體積比混合，在超聲振蕩的作用下進行機械攪拌，將正己烷揮發后形成的碳納米管填充聚二甲基硅氧烷復合材料膠狀粘稠物滴入固定于旋轉平臺上的底層封裝薄膜的大正方形金屬電極之上，利用旋涂形成厚度為60微米的正壓阻正溫阻系數敏感薄膜，硫化60小時后成型，將硫化在大正方形金屬電極表面之外的正壓阻正溫阻系數敏感薄膜清除；將長度10微米、直徑15納米的碳納米管、聚二甲基硅氧烷和正己烷按20∶100∶1000的體積比混合，在超聲振蕩的作用下進行機械攪拌，將正己烷揮發后形成的碳納米管填充聚二甲基硅氧烷復合材料膠狀粘稠物滴入固定于旋轉平臺上的底層封裝薄膜的小正方形金屬電極之上；利用旋涂形成厚度為60微米的負壓阻正溫阻系數敏感薄膜，硫化60小時后成型；將硫化在小正方形金屬電極表面之外的負壓阻正溫阻系數敏感薄膜清除；在底層封裝薄膜上的正壓阻正溫阻系數敏感薄膜和負壓阻正溫阻系數敏感薄膜周圍涂熱固膠，形成由正壓阻正溫阻系數敏感薄膜、負壓阻正溫阻系數敏感薄膜和熱固膠組成的敏感層；將另一個尺寸和結構與底層封裝薄膜相同的薄膜作為頂層封裝薄膜貼附在所述的敏感層之上，使頂層封裝薄膜的大正方形金屬電極、正壓阻正溫阻系數敏感薄膜和底層封裝薄膜的大正方形金屬電極正對，并使頂層封裝薄膜的小正方形金屬電極、負壓阻正溫阻系數敏感薄膜和底層封裝薄膜的小正方形金屬電極正對，形成由頂層封裝薄膜、敏感層和底層封裝薄膜組成的三明治結構；用柔性材料封裝機對所述的三明治結構進行熱壓封裝，進而完成由頂層封裝薄膜的大正方形金屬電極、正壓阻正溫阻系數敏感薄膜和底層封裝薄膜的大正方形金屬電極構成的正壓阻正溫阻系數子單元的制備和由頂層封裝薄膜的小正方形金屬電極、負壓阻正溫阻系數敏感薄膜和底層封裝薄膜的小正方形金屬電極構成的負壓阻正溫阻系數子單元的制備；將正壓阻正溫阻系數子單元和負壓阻正溫阻系數子單元接入電橋的相鄰橋臂以構成可減小溫度漂移的差動系統。