[發明專利]包括替換儲存單元的半導體系統有效
| 申請號: | 201610921961.5 | 申請日: | 2016-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN107230500B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 李庚玟;宋永旭;金基中;金龍珠;權正賢;趙上球 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/00 | 分類號: | G11C29/00;H01L25/18 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 替換 儲存 單元 半導體 系統 | ||
1.一種半導體系統,包括:
一個或更多個核心芯片,包括多個存儲體;
一個或更多個替換儲存單元;以及
基礎芯片,適用于:
第一檢測具有滿足第一條件的訪問頻率的存儲體,
第二檢測第一檢出存儲體的利用率是否滿足第二條件,以及
用替換儲存單元之中的一個替換儲存單元來替換第二檢出存儲體;
其中,所述一個或更多個核心芯片包括一個或更多個通道,所述一個或更多個通道包括所述多個存儲體中的一個或更多個存儲體,并且所述一個或更多個通道被分別獨立控制,以及
其中,基礎芯片適用于將在所述一個或更多個通道之中的所有所包括存儲體均被替換儲存單元替換的通道設置為低功率模式。
2.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,第一條件是訪問頻率大于參考訪問頻率的條件。
3.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,第一條件是訪問頻率小于參考訪問頻率的條件。
4.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,第二條件是第一檢出存儲體的利用率大于替換利用閾值率的條件。
5.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,第二條件是第一檢出存儲體的利用率小于替換利用閾值率的條件。
6.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,所述多個存儲體中的每一個包括多個字線,以及
第一檢出存儲體的利用率是使用狀態字線的數目相對于第一檢出存儲體的所述多個字線總數目的比例。
7.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,基礎芯片適用于監測在所述一個或更多個核心芯片中的所述多個存儲體是否被訪問,以及適用于使用監測結果來執行第一檢測。
8.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,基礎芯片適用于控制第二檢出存儲體的數據被傳輸至并存儲在替換儲存單元中。
9.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,在第二檢出存儲體的數據被傳輸并存儲在替換儲存單元中時如果輸入對第二檢出存儲體的訪問命令,則基礎芯片適用于當作為訪問命令的目標的字線處于替換狀態時,控制訪問替換儲存單元,以及適用于當作為訪問命令的目標的字線處于非替換狀態時,控制訪問第二檢出存儲體,所述替換狀態是指字線的所有數據均被存儲在替換儲存單元中,所述非替換狀態是指字線的所有數據未被存儲在替換儲存單元中。
10.根據權利要求9所述的半導體系統,其中,基礎芯片適用于:當第二檢出存儲體的數據被傳輸并存儲在替換儲存單元中時輸入對第二檢出存儲體的訪問命令時,在與所述訪問命令對應的時延時間處控制執行數據的傳輸和存儲。
11.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,基礎芯片適用于訪問替換了第一存儲體的替換儲存單元,或適用于響應于與在所述多個存儲體之中的被替換儲存單元替換的替換-目標存儲體對應的訪問命令來中斷所述訪問命令,其中,所述訪問命令包括激活命令、預充電命令、刷新命令、寫入命令和讀取命令之中的一種或更多種命令。
12.根據權利要求11所述的半導體系統,其中,基礎芯片適用于當訪問命令是激活命令、預充電命令或刷新命令時中斷所述訪問命令,以及適用于當訪問命令是寫入命令或讀取命令時訪問替換了替換-目標存儲體的替換儲存單元。
13.根據權利要求1所述的半導體系統,其中,基礎芯片適用于當第一檢出存儲體是替換-目標存儲體時,第三檢測第一檢出替換-目標存儲體是否滿足第三條件,以及適用于將替換了第三檢出替換-目標存儲體的替換儲存單元恢復至第三檢出替換-目標存儲體。
14.根據權利要求13所述的半導體系統,其中,第三條件是第一檢出替換-目標存儲體的利用率必須大于恢復利用閾值率的條件。
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