[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610920917.2
• 申請(qǐng)日: 2016-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN107017224B
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 草野健一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/525
• 分類號(hào): H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

熔斷元件；以及

熔斷窗，其在包括上述熔斷元件的區(qū)域上形成，且具有沿著第一方向延伸的一對(duì)第一側(cè)壁和沿著與上述第一方向交叉的第二方向延伸的一對(duì)第二側(cè)壁，其中，上述第一方向是沿著上述熔斷元件中流動(dòng)的電流的方向，在上述第一側(cè)壁以及上述第二側(cè)壁的至少一方的內(nèi)壁形成有從側(cè)壁側(cè)向內(nèi)側(cè)突出且使側(cè)壁側(cè)的寬度比突出側(cè)的寬度窄的突起。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述突起具有在側(cè)壁側(cè)形成的狹窄部分、和在上述狹窄部分的前端形成的寬幅部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述突起是T字形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述突出側(cè)的寬度是上述側(cè)壁側(cè)的寬度的2倍以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述突出側(cè)的寬度是上述側(cè)壁側(cè)的寬度的2倍以上。

6. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

熔斷元件；以及

熔斷窗，其在包括上述熔斷元件的區(qū)域上形成，且具有沿著第一方向延伸的一對(duì)第一側(cè)壁和沿著與上述第一方向交叉的第二方向延伸的一對(duì)第二側(cè)壁，其中，上述第一方向是沿著上述熔斷元件中流動(dòng)的電流的方向，在上述第一側(cè)壁以及上述第二側(cè)壁的至少一方的內(nèi)壁形成有從側(cè)壁側(cè)向內(nèi)側(cè)突出且使側(cè)壁側(cè)的寬度比從側(cè)壁端部到突起的側(cè)壁的長(zhǎng)度短并且與內(nèi)側(cè)的寬度一致的突起。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

從上述側(cè)壁端部到上述突起為止的側(cè)壁的長(zhǎng)度是上述側(cè)壁側(cè)的寬度的2倍以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1~權(quán)利要求7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述突起在一對(duì)上述第一側(cè)壁的兩方的側(cè)壁以及一對(duì)上述第二側(cè)壁的兩方側(cè)壁的至少一方具備多個(gè)。

9. 根據(jù)權(quán)利要求1~權(quán)利要求7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

第一保護(hù)膜，其在包含上述熔斷元件的區(qū)域上的除了上述熔斷窗的區(qū)域上形成；以及

第二保護(hù)膜，其在上述第一保護(hù)膜上和上述熔斷窗的內(nèi)部的區(qū)域上形成。

10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

第一保護(hù)膜，其在包含上述熔斷元件的區(qū)域上的除了上述熔斷窗的區(qū)域上形成；以及

第二保護(hù)膜，其在上述第一保護(hù)膜上和上述熔斷窗的內(nèi)部的區(qū)域上形成。

11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

在覆蓋包括熔斷元件的區(qū)域形成第一保護(hù)膜的工序；

將包括上述熔斷元件的區(qū)域上的上述第一保護(hù)膜除去，形成熔斷窗的工序，其中，上述熔斷窗在包含上述熔斷元件的區(qū)域上形成，且具有沿著第一方向延伸的一對(duì)第一側(cè)壁和沿著與上述第一方向交叉的第二方向延伸的一對(duì)第二側(cè)壁，其中，上述第一方向是沿著上述熔斷元件中流動(dòng)的電流的方向，在上述第一側(cè)壁以及上述第二側(cè)壁的至少一方的內(nèi)壁形成有從側(cè)壁側(cè)向內(nèi)側(cè)突出且側(cè)壁側(cè)的寬度比突出側(cè)的寬度窄的突起；以及

在覆蓋上述第一保護(hù)膜以及上述熔斷窗內(nèi)的區(qū)域形成第二保護(hù)膜的工序。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

還具備將上述熔斷窗內(nèi)的上述熔斷元件溶斷的工序。