[發(fā)明專利]干膜抗蝕劑、電路布線的制造方法、電路布線、輸入裝置及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610919906.2
• 申請日: 2016-10-21
• 公開（公告）號: CN107015437B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 片山晃男;長田崇一郎
• 申請（專利權(quán)）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: G03F7/039
• 分類號: G03F7/039;G03F7/004;G06F3/041
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種干膜抗蝕劑，其為在臨時支承體上具有抗蝕劑層的正型干膜抗蝕劑，

所述臨時支承體的總光線霧度為0.3％以下，

所述臨時支承體對于所述抗蝕劑層的曝光主波長具有80％以下的透過率，

所述抗蝕劑層含有(A)成分及(B)光致產(chǎn)酸劑，

所述(A)成分為具有酸基被酸分解性基團保護的酸構(gòu)成單元a0的聚合物，

所述酸構(gòu)成單元a0具有下述通式A3或A1所示的構(gòu)成單元，

通式A3：

所述通式A3中，R³¹及R³²分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R³¹及R³²中的任一個為烷基或芳基，R³³表示烷基或芳基，R³¹與R³³或R³²與R³³任選連接形成環(huán)狀醚，R³⁴表示氫原子或甲基，X⁰表示單鍵或亞芳基，Y表示氮原子、硫原子或氧原子，

通式A1：

所述通式A1中，R¹及R²分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R¹及R²中的任一個為烷基或芳基，R³表示烷基或芳基，R¹與R³或R²與R³任選連接形成環(huán)狀醚，R⁴表示氫原子或甲基。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干膜抗蝕劑，其中，所述通式A3中，X⁰為單鍵。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的干膜抗蝕劑，其中，所述通式A3中，Y為氧原子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的干膜抗蝕劑，其中，所述抗蝕劑層含有2種以上的具有酸基被酸分解性基團保護的酸構(gòu)成單元a0的聚合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干膜抗蝕劑，其中，所述抗蝕劑層含有萘醌二疊氮化合物及具有酚性羥基的樹脂。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的干膜抗蝕劑，其中，所述抗蝕劑層進一步含有雜環(huán)狀化合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的干膜抗蝕劑，其中，所述抗蝕劑層進一步含有堿性化合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的干膜抗蝕劑，其中，所述抗蝕劑層進一步含有輻射線吸收劑。

9.一種電路布線的制造方法，其包括下述(a)工序、(b)工序、(c)工序及(d)工序，

(a)層疊工序，向具有基材和導(dǎo)電層的電路形成基板上層疊權(quán)利要求1～8中任一項所述的干膜抗蝕劑；

(b)圖案曝光工序，在不剝離所述干膜抗蝕劑的所述臨時支承體的狀態(tài)下，以圖案曝光用圖案進行接觸圖案曝光；

(c)顯影工序，在剝離所述臨時支承體后進行顯影，對所述抗蝕劑層形成所述圖案曝光用圖案；

(d)蝕刻工序，通過蝕刻在所述電路形成基板上形成所述圖案曝光用圖案。