[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610919767.3
• 申請(qǐng)日: 2016-10-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107978554B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭二虎;張城龍;黃敬勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L27/11521
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成隔離結(jié)構(gòu)和被所述隔離結(jié)構(gòu)分割的有源區(qū)，在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極疊層，在所述柵極疊層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極和漏極，在所述半導(dǎo)體襯底上形成包圍所述柵極疊層的層間介電層；

在所述層間介電層上形成抗反射層和圖形化的光刻膠層；

沿第一方向?qū)λ鰣D形化的光刻膠層進(jìn)行定向帶狀等離子束處理，以改善所述圖形化的光刻膠層在所述第一方向上的剖面，所述第一方向?yàn)榻佑|孔的長(zhǎng)度方向或所述有源區(qū)的延伸方向；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜蝕刻所述抗反射層，以圖形化所述抗反射層；

沿第二方向?qū)λ鰣D形化的抗反射層進(jìn)行關(guān)鍵尺寸調(diào)節(jié)蝕刻，以改善所述圖形化的抗反射層在所述第二方向上的關(guān)鍵尺寸，所述第二方向?yàn)榻佑|孔的寬度方向或字線方向；

以所述圖形化的光刻膠層和抗反射層為掩膜蝕刻所述層間介電層，以在所述源極和漏極對(duì)應(yīng)的位置上形成源極接觸孔和漏極接觸孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述抗反射層為電介質(zhì)抗反射層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，通過(guò)定向帶狀離子束工藝進(jìn)行所述進(jìn)行關(guān)鍵尺寸調(diào)節(jié)蝕刻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，還包括：

在所述層間介電層和抗反射層之間形成轉(zhuǎn)移層；

以所述圖形化的光刻膠層和抗反射層為掩膜蝕刻所述轉(zhuǎn)移層，以圖形化所述轉(zhuǎn)移層；

以所述圖形化的轉(zhuǎn)移層為掩膜蝕刻所述層間介電層，以在所述源極和漏極對(duì)應(yīng)的位置上形成源極接觸孔和漏極接觸孔。

5.一種采用如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的制作方法制作的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有隔離結(jié)構(gòu)和被所述隔離結(jié)構(gòu)分割的有源區(qū)，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極疊層，在所述柵極疊層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成有源極和漏極，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有包圍所述柵極疊層的層間介電層，在所述層間介電層中形成有源極接觸和漏極接觸。

6.一種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連接的電子組件。