[發明專利]半導體器件及其制作方法、電子裝置

在審

• 申請號: 201610919656.2
• 申請日: 2016-10-21
• 公開（公告）號: CN107978517A
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 鄭二虎
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/266
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 高偉,張建

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成含碳轉移層以及位于所述含碳轉移層之上的圖形化的光刻膠層；

通過定向帶狀束等離子工藝對所述圖形化的光刻膠層實施等離子處理，以改善所述圖形化的光刻膠層的線寬粗糙度；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜分多步蝕刻所述含碳轉移層，直到達到設定蝕刻深度為止，

其中，在每步蝕刻中包括下述步驟：

以所述圖形化的掩膜層為掩膜蝕刻所述含碳轉移層一定深度；

去除所述含碳轉移層側壁上的應力層；

在所述含碳轉移層側壁上形成第一側壁保護層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述含碳轉移層為無定形碳層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，通過Ar、CH₄、N₂或CO₂等離子沖刷去除所述應力層。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第一側壁保護層為硅層。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，通過直流添加等離子體工藝形成所述第一側壁保護層。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述直流添加等離子體工藝通過N₂、Ar等離子體與直流耦合實現。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述定向帶狀束等離子工藝沿所述圖形化光刻膠層的長度方向實施。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述定向帶狀束等離子工藝采用H₂、HBr或Ar氣體。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，形成所述圖形化的光刻層的步驟還包括：

在所述圖形化的光刻膠層的側壁上形成第二側壁保護層。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第二側壁保護層為硅層。

11.根據權利要求10所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，通過直流添加等離子體工藝形成所述第二側壁保護層。

12.根據權利要求11所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述直流添加等離子體工藝通過N₂或Ar等離子體與直流耦合實現。

13.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，通過極紫外光刻工藝圖形化所述光刻膠層。