[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201610919444.4
• 申請日: 2016-10-21
• 公開（公告）號: CN107978553B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 劉繼全
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成介電層,所述介電層中形成有金屬種子層，形成所述介電層的步驟包括：

在所述半導體襯底上形成第一介電層；

在所述第一介電層上形成金屬種子材料層；

對所述金屬種子材料層進行圖案化，以形成金屬種子層，所述金屬種子層定義溝槽或通孔底部位置；

在所述金屬種子層及第一介電層上沉積第二介電層；

以所述金屬種子層為刻蝕停止層，刻蝕所述第二介電層以在所述第二介電層中形成露出所述金屬種子層的溝槽或通孔；

采用選擇性原子層沉積法在所述溝槽或通孔的側壁上形成阻擋層；

在所述溝槽或通孔底部的金屬種子層上生長金屬層，以完全填充所述溝槽或通孔，所述金屬層的生長方法為選擇性CVD法，所述選擇性CVD法以所述溝槽或通孔底部的金屬種子層作為生長表面、以所述溝槽或通孔側壁的阻擋層作為非生長表面，自下而上生長所述金屬層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括進行平坦化處理，使所述金屬層表面與介電層表面齊平的步驟。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬種子層為Co、Cu、Al、Ti、W、Ag、Au中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬種子層的厚度為1-10nm。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電層包括SiC、SiOC、SiO₂、SiCN、SiOCH、SiN、SiON中的一種或幾種。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介電層和第二介電層的總厚度為100-400nm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻擋層為TaN層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述阻擋層生長的先驅物為PDMAT。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層為Co層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述金屬層生長的先驅物為CoDCP。

11.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件采用權利要求1-10之一所述方法制造。