[發明專利]半導體存儲裝置和操作半導體存儲裝置的方法

有效

• 申請號: 201610916491.3
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN106997783B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 車相彥;鄭會柱;姜郁成
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賈洪菠;邵亞麗

1.一種操作包括存儲單元陣列和誤差校正電路的半導體存儲裝置的方法，所述方法包括：

響應于從外部存儲控制器接收的第一命令，選擇所述存儲單元陣列中的存儲單元的頁的至少一個子頁；

從所述子頁讀取包括至少兩個數據子單元和奇偶校驗數據的第一數據單元，其中所述至少兩個數據子單元包括第一數據子單元和第二數據子單元，所述第一數據子單元讀取自所述子頁的第一存儲位置，所述第二數據子單元讀取自所述子頁的第二存儲位置；

在所述誤差校正電路中確定所述第一數據單元是否包括誤差位；

當所述第一數據單元在所述第二數據子單元中包括誤差位時，在所述誤差校正電路中使用所述第一數據單元的奇偶校驗數據校正所述誤差位以提供校正的第二數據子單元；

將校正的第二數據子單元回寫至所述子頁的所述第二存儲位置，其中所述第一數據單元的大小對應于所述半導體存儲裝置的碼字單元的大小，所述第一數據子單元和所述第二數據子單元的各自的大小對應于在所述半導體存儲裝置的讀操作和寫操作中預取的數據大小；以及

其中，所述第一數據子單元和所述數據第二子單元的每個的大小小于所述碼字單元的大小。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在回寫校正的第二數據子單元后從所述外部存儲控制器接收第二命令。

3.根據權利要求1所述的方法，其中確定所述第一數據單元是否包括誤差位是由所述誤差校正電路通過基于所述第一數據單元生成綜合數據來執行的。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一命令對應于擦除命令，所述擦除命令通過使用與對應于指示所述半導體存儲裝置的讀操作的讀命令的信號不同的信號被編碼。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述存儲單元陣列包括多個體陣列，每個體陣列包括所述存儲單元的多個頁，每個頁包括多個子頁，以及

其中所述存儲單元的所述多個頁之一響應于所述第一命令被激活以提供激活的體，以及

校正的子單元數據被回寫入對應于激活的頁中至少兩個子頁的存儲位置中。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一命令是根據指定頻率接收的，

其中所述存儲單元陣列包括多個體陣列，每個體陣列包括存儲單元的多個頁，以及

其中響應于接收所述第一命令以所述指定頻率順序激活所述存儲單元的多個頁，并且順序選擇所激活的頁中的多個子頁。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一命令對應于指示所述半導體存儲裝置的刷新操作的刷新命令。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述存儲單元陣列包括多個體陣列，并且每個體陣列包括存儲單元的多個頁，以及

其中響應于所述刷新命令激活存儲單元的多個頁之一，校正的數據子單元被回寫至對應于所激活的頁中的一個子頁的存儲位置。