[發明專利]聲波濾波器和制造該聲波濾波器的方法

在審

• 申請號: 201610916340.8
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN107094004A
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 鄭原圭
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/54
• 分類號: H03H9/54;H03H3/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 金光軍,包國菊

提供一種聲波濾波器和制造該聲波濾波器的方法，所述聲波濾波器包括：基板，在所述基板中形成有多個孔；第一諧振器，設置在所述多個孔中的一個或更多個孔上；第二諧振器，設置在所述多個孔中的其它孔上。第一修整層設置在第一諧振器中，第二修整層設置在第二諧振器中。第二修整層由針對指定的蝕刻劑具有與第一修整層的蝕刻速率不同的蝕刻速率的材料形成。

本申請要求于2016年2月17日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0018316號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用包含于此。

技術領域

本公開涉及一種聲波濾波器裝置和制造該聲波濾波器裝置的方法。

背景技術

由于用于高性能帶通濾波器的帶寬規范已經變得嚴格，因此需要用于壓電諧振器的精確的修整特性。

通常，聲波濾波器包括確定右頻帶的串聯諧振器以及確定左頻帶的分路諧振器。傳統的修整工藝使用諸如以離子束蝕刻為例的技術針對串聯諧振器和分路諧振器而單獨地執行。可選地，這樣的修整工藝可按照兩步工藝執行，其中，在針對串聯諧振器和分路諧振器同時執行修整工藝之后，僅針對分路諧振器(或串聯諧振器)執行另一修整工藝。

這樣的修整工藝需要能夠僅敞開串聯諧振器和分路諧振器中的一個的光掩膜和另外的光學工藝。

因此，對結構執行諸如另外的光掩膜工藝、光刻工藝等的制造工藝。換句話說，這樣的修整工藝需要兩個步驟的光刻。因此，用于聲波諧振器的傳統的制造工藝會具有低產量和低精度。因此，期望改進制造工藝。

發明內容

提供本發明內容以按照簡化形式介紹選擇的構思，以下在具體實施方式中進一步描述該構思。本發明內容并不意在確定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總的方面，一種聲波濾波器包括：基板，在所述基板中形成有多個孔；第一諧振器，設置在所述多個孔中的一個或更多個孔上；第二諧振器，設置在所述多個孔中的其它孔上。第一修整層設置在第一諧振器中，第二修整層設置在第二諧振器中。第二修整層由針對指定的蝕刻劑具有與第一修整層的蝕刻速率不同的蝕刻速率的材料形成。

第一諧振器可包括：第一下電極，設置在所述一個或更多個孔上；第一壓電主體，設置在第一下電極的頂表面上；第一上電極，設置在第一壓電主體的頂表面上；第一修整層，設置在第一上電極的頂表面上。第一下電極的頂表面與第一下電極的底表面背對，第一下電極的底表面面對所述一個或更多個孔。

第二諧振器可包括：第二下電極，設置在所述其它孔上；第二壓電主體，設置在第二下電極的頂表面上；第二上電極，設置在第二壓電主體的頂表面上；第二修整層，設置在第二上電極的頂表面上。第二下電極的頂表面與第二下電極的底表面背對，并且第二下電極的底表面面對所述其它孔。

所述多個孔可以為上部寬并且下部窄的漏斗形。第一下電極和第二下電極被成型為覆蓋并且密封孔的上部。

第一修整層和第二修整層針對指定的蝕刻劑可具有不同的蝕刻速率，從而被構造為在對一個修整層進行蝕刻時防止另一個修整層被蝕刻。

在另一總的方面，一種制造聲波濾波器的方法包括：在基板中形成多個孔；在所述孔上形成第一下電極和第二下電極；分別在第一下電極和第二下電極上形成第一壓電主體和第二壓電主體；分別在第一壓電主體和第二壓電主體上形成第一上電極和第二上電極；在第一上電極上形成第一修整層，在第二上電極上形成第二修整層。第一修整層和第二修整層包含針對指定的蝕刻劑具有不同的蝕刻速率的材料。

所述方法還可包括：在形成第二修整層之后，使第一修整層平坦化。

使第一修整層平坦化的步驟可包括對第一修整層的一部分進行蝕刻。

通過反應離子蝕刻和離子束蝕刻中的一種對第一修整層進行平坦化。