[發明專利]LED基板的形成方法

有效

• 申請號: 201610916336.1
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN106952985B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 金永奭
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

提供LED基板的形成方法，能夠通過簡單的作業且低廉地形成LED基板。該LED基板的形成方法通過如下的工序來形成LED基板：緩沖層形成工序，在硅基板的正面上形成緩沖層；發光層形成工序，在緩沖層的表面上形成發光層；環狀加強部形成工序，留出硅基板的背面的外周部分而對中央部分進行磨削從而形成環狀加強部；反射膜形成工序，在硅基板的背面上形成反射膜；電極形成工序，在該反射膜上形成電極；以及分割工序，沿著分割預定線分割成芯片。

技術領域

本發明涉及LED基板的形成方法。

背景技術

以往，在藍寶石基板上層疊由n-GaN層、活性層、p-GaN層構成的發光層而形成LED(Light Emitting Diode)基板。作為LED基板，公知不與具有絕緣性的藍寶石基板分離而在與p型電極相鄰的位置處配置了n型電極的水平構造的LED基板(例如，參照專利文獻1)。關于水平構造的LED基板，對p-GaN層側進行蝕刻而使n-GaN層部分地露出，并在p-GaN層的正面和n-GaN層的正面上分別配置有p型電極和n型電極。存在因電流從p型電極朝向n型電極時聚集而導致LED基板的耐久性降低的可能性。

并且，作為LED基板，公知與具有絕緣性的藍寶石基板分離而垂直地配置了p型電極和n型電極的垂直構造的LED基板(例如，參照專利文獻2)。關于垂直構造的LED基板，當通過激光剝離(LLO：Laser Lift Off)將藍寶石基板從n-GaN層分離，并在p-GaN層的正面和n-GaN層的背面分別配置了p型電極和n型電極之后通過支承基板來進行支承。因此，與水平構造的LED基板不同，在電流從p型電極朝向n型電極時不會聚集，提高了LED的耐久性。

近年來，還開發出了代替藍寶石基板在硅基板上隔著緩沖層而層疊發光層來形成LED基板的技術(GaN on Silicon(硅上氮化鎵)技術)(例如，參照專利文獻3、4)。作為外延基板，硅基板比藍寶石基板更低廉，能夠大幅削減LED基板的制造時的成本。

專利文獻1：日本特開平09-116192號公報

專利文獻2：日本特許第5653327號公報

專利文獻3：日本特開2012-243807號公報

專利文獻4：日本特許第5752855號公報

但是，在硅基板和GaN中，由于晶格失配較大，所以為了層疊GaN層而需要在硅基板上形成好幾層緩沖層。并且，在形成垂直構造的LED基板的情況下，很難使用上述的激光剝離將硅基板從LED基板分離。即使假設能夠將硅基板從LED基板分離而從硅基板轉貼到支承基板上，也存在產生轉貼作業而作業相應地變得復雜的問題。

發明內容

本發明是鑒于該點而完成的，其目的在于提供LED基板的形成方法，能夠通過簡單的作業且低廉地形成LED基板。

本發明的LED基板的形成方法具有如下的工序：緩沖層形成工序，在硅基板的一個面上形成緩沖層；發光層形成工序，在通過該緩沖層形成工序所形成的緩沖層的表面上形成發光層；環狀加強部形成工序，在該發光層形成工序之后，對硅基板的另一個面的中央進行磨削并形成凹部，由此在該凹部的外側形成環狀加強部；反射膜形成工序，在該環狀加強部形成工序之后，在該凹部上形成反射膜；電極形成工序，在通過該反射膜形成工序所形成的該反射膜的表面上形成電極；以及分割工序，在該電極形成工序之后，沿著分割預定線分割成芯片。

根據該結構，對硅基板的另一個面的中央部分進行磨削而在中央部分的周圍形成環狀加強部。由于通過環狀加強部來確保硅基板的剛性，所以即使硅基板的中央部分變薄也不會產生翹曲。因此，不產生從硅基板到支承基板的基板的轉貼作業。并且，由于硅基板的中央部分較薄，所以從發光層的背面發出的光透過硅基板而經反射膜反射，由此，提高了發光效率。并且，能夠通過將硅基板作為外延基板來大幅削減成本。