[發明專利]晶片及晶片制造方法

有效

• 申請號: 201610914618.8
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN107634032B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 林柏均
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/544
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 王正茂;叢芳

1.一種晶片制造方法，用以由半導體晶圓制造多個晶片，所述半導體晶圓具有前表面，所述前表面上定義有多個切割道，其特征在于，所述晶片制造方法包含：

在所述半導體晶圓上分別對齊所述多個切割道的交集處的多個位置形成多個裂縫停止結構，其中所述裂縫停止結構的寬度小于所述切割道的寬度；

沿著所述多個切割道照射激光束聚焦于所述半導體晶圓的內部以誘發多個裂縫；以及

使被照射的所述半導體晶圓沿著所述多個裂縫斷裂至所述多個裂縫停止結構，進而使被照射的所述半導體晶圓分割出所述多個晶片。

2.如權利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述使被照射的所述半導體晶圓斷裂的步驟包含：

施加拉伸力至被照射的所述半導體晶圓。

3.如權利要求2所述的晶片制造方法，其特征在于，保護膠帶黏合至所述半導體晶圓的后表面，并且所述施加所述拉伸力的步驟包含：

向外擴張所述保護膠帶以施加所述拉伸力至被照射的所述半導體晶圓。

4.如權利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述多個位置位于所述前表面上，并且所述形成所述多個裂縫停止結構的步驟包含：

由所述前表面蝕刻所述半導體晶圓以形成多個凹陷，其中所述多個凹陷被配置為所述多個裂縫停止結構。

5.如權利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述半導體晶圓還具有相反于所述前表面的后表面，所述多個位置位于所述后表面上，并且所述形成所述多個裂縫停止結構的步驟包含：

由所述后表面蝕刻所述半導體晶圓以形成多個凹陷，其中所述多個凹陷被配置為所述多個裂縫停止結構。

6.如權利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述半導體晶圓還具有相反于所述前表面的后表面，所述多個位置位于所述前表面與所述后表面上，并且所述形成所述多個裂縫停止結構的步驟包含：

由所述前表面與所述后表面蝕刻所述半導體晶圓以分別形成多個第一凹陷以及多個第二凹陷，其中所述多個第一凹陷與所述多個第二凹陷被配置為所述多個裂縫停止結構。

7.如權利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述半導體晶圓還具有相反于所述前表面的后表面，并且所述形成所述多個裂縫停止結構的步驟包含：

蝕刻所述半導體晶圓以形成多個穿孔貫穿所述前表面與所述后表面，其中所述多個穿孔被配置為所述多個裂縫停止結構。

8.如權利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述半導體晶圓還具有相反于所述前表面的后表面，并且所述照射所述半導體晶圓的步驟包含：

在照射期間，將所述激光束的焦點由所述半導體晶圓的內部移動至所述后表面。

9.如權利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述半導體晶圓還具有相反于所述前表面的后表面，并且所述晶片制造方法還包含：

由所述后表面薄化被照射的所述半導體晶圓，以使被薄化的所述后表面抵達所述激光束的焦點。

10.如權利要求1所述的晶片制造方法，其特征在于，所述半導體晶圓還具有相反于所述前表面的后表面，并且所述激光束的焦點接近所述后表面且遠離所述前表面。

11.一種晶片，其特征在于，包含：

基材，具有多個角落；

切割道，圍繞所述基材；

元件，設置于所述基材上；以及

多個裂縫停止結構，分別位于所述多個角落，所述裂縫停止結構的寬度小于所述切割道的寬度。

12.如權利要求11所述的晶片，其特征在于，所述多個裂縫停止結構為倒角。

13.如權利要求12所述的晶片，其特征在于，所述基材還具有前表面，所述元件設置于所述前表面上，并且每個倒角都延伸至所述前表面。