[發(fā)明專利]合成ZnxCd1?xSe，ZnxCd1?xSe/ZnS和ZnxCd1?xSe/ZnS/ZnS合金量子點的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610914329.8 | 申請日： | 2016-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN106566553A | 公開（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 白潔;恒蔚宏 | 申請（專利權）人： | 深圳天吉新創(chuàng)科技有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/88 | 分類號： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;B22F9/24 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334 | 代理人： | 曹愛紅 |
| 地址： | 518108 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 合成 znxcd1 xse zns 合金 量子 方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳天吉新創(chuàng)科技有限公司，未經深圳天吉新創(chuàng)科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610914329.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種低成本合成Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>Se(0≤x≤1)及其相關核殼結構半導體納米晶的方法
- 一種Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>Te熒光納米棒及其水相合成方法
- 一種大分子單體修飾的量子點、制備方法及其應用
- 一種P型摻雜Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>S納米材料及其制備方法
- Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>S三元復合微米空心球的制備方法
- 介孔納米球型Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>S粒子及其制備方法和應用
- 一種鉺摻雜Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>S量子點的微波制備方法
- 合成ZnxCd1?xSe，ZnxCd1?xSe/ZnS和ZnxCd1?xSe/ZnS/ZnS合金量子點的方法
- 一種納米二氧化鈦和量子點的新型涂料
- 一種新型發(fā)光材料的工藝技術
- 一種低成本合成Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>Se(0≤x≤1)及其相關核殼結構半導體納米晶的方法
- 一種采用水熱法在銅基底上制備納米Cu<sub>2-x</sub>Se陣列的方法
- 硒稼鋁鋇化合物、硒稼鋁鋇非線性光學晶體及制法和用途
- 一種優(yōu)化銅銦鎵硒太陽電池吸收層的裝置
- 一種硒化銅/介孔二氧化硅核殼納米粒子及其制備方法和應用
- 一種Cu<sub>2-x</sub>Se/石墨烯復合材料及其制備方法
- 一種基于硒摻雜的硫代鋰離子超導體及其制備方法
- 一種Cu<sub>2-x</sub>Se/石墨烯復合材料的制備方法
- 合成ZnxCd1?xSe，ZnxCd1?xSe/ZnS和ZnxCd1?xSe/ZnS/ZnS合金量子點的方法
- 一種鋰離子電池多孔復合氧化物負極材料的制備方法
