[發明專利]半導體封裝件及其制法

在審

• 申請號: 201610913497.5
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN107818953A
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發明（設計）人: 潘嘉偉;高迺澔;江東升
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/14;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 王濤

1.一種半導體封裝件，其特征在于，所述半導體封裝件包含：

一承載件，具有相對的一第一設置面與一第二設置面；

一支撐件，設置于所述承載件的所述第二設置面，所述支撐件的熱膨脹系數大于所述承載件的熱膨脹系數；

多個芯片，分離設置于所述承載件的所述第一設置面；

封裝膠體，形成在所述承載件的所述第一設置面且包覆所述多個芯片的外周面；及

一線路重布結構層，形成于所述封裝膠體的表面與所述多個芯片的主動面，且電連接各所述芯片。

2.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述承載件與所述支撐件之間設有一結合層。

3.如權利要求1或2所述的半導體封裝件，其特征在于，所述承載件的厚度小于所述支撐件的厚度。

4.如權利要求3所述的半導體封裝件，其特征在于，所述承載件的熱膨脹系數小于8ppm/℃，所述支撐件的熱膨脹系數大于或等于8ppm/℃。

5.如權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于，所述承載件的厚度為所述支撐件的厚度的二分之一。

6.如權利要求5所述的半導體封裝件，其特征在于，所述支撐件的分布區域涵蓋所述封裝膠體。

7.如權利要求6所述的半導體封裝件，其特征在于，所述支撐件的熱膨脹系數為大于或等于8ppm/℃以及小于或等于10ppm/℃。

8.如權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于，各所述芯片包含有相對的一第一表面與一第二表面，各所述芯片以所述第一表面通過一膠層固定于所述承載件，各所述芯片的所述第二表面為一主動面，所述主動面形成有多個電極墊，所述主動面與所述多個電極墊的表面位于同一平面。

9.如權利要求8所述的半導體封裝件，其特征在于，所述封裝膠體的表面以及各所述芯片的所述主動面與所述多個電極墊的表面位于同一平面，各所述芯片的所述主動面與所述多個電極墊外露于所述封裝膠體。

10.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特征在于，所述線路重布結構層包含有：

一絕緣基材；

多個中介電連接部，設置在所述絕緣基材內且分別電連接所述多個芯片的所述多個電極墊；以及

多個導電塊，分別形成于所述多個中介電連接部的外露于所述絕緣基材的表面，并電連接所述多個中介電連接部。

11.一種半導體封裝件的制法，其特征在于，所述半導體封裝件的制法包含：

準備一承載件，所述承載件具有相對的一第一設置面與一第二設置面，所述第一設置面設有分離設置的多個芯片，各所述芯片具有一主動面，所述主動面形成有多個電極墊；

在所述承載件的所述第一設置面形成一封裝膠體，各所述芯片的所述主動面與所述多個電極墊外露于所述封裝膠體；

在所述承載件的所述第二設置面設置一支撐件，所述支撐件的熱膨脹系數大于所述承載件的熱膨脹系數；以及

形成一線路重布結構層于所述封裝膠體的表面與所述多個芯片的所述主動面，完成所述半導體封裝件。

12.如權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，于所述承載件的所述第二設置面設置所述支撐件的步驟中，包含有：

在所述第二設置面設置一結合層；以及

將所述支撐件設置在所述結合層，使所述支撐件通過所述結合層設置在所述承載件的所述第二設置面。

13.如權利要求11或12所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，在所述承載件的所述第一設置面形成所述封裝膠體的步驟中，包含有：

在所述承載件的所述第一設置面上形成一包覆膠體，所述包覆膠體包覆所述多個芯片；以及

移除部分的所述包覆膠體以形成所述封裝膠體，使所述封裝膠體露出各所述芯片的所述主動面與所述多個電極墊。

14.如權利要求11或12所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，所述承載件的厚度小于所述支撐件的厚度。

15.如權利要求11或12所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，所述支撐件的分布區域涵蓋所述封裝膠體。

16.如權利要求11或12所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，所述承載件的熱膨脹系數小于8ppm/℃，所述支撐件的熱膨脹系數大于或等于8ppm/℃。