[發(fā)明專利]一種硅錠和多晶硅片的制備方法、以及由其制備的硅錠和多晶硅片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610913211.3
• 申請日: 2016-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN107059117B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐駿;袁聰;常傳波;楊振幫
• 申請（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州榮德新能源科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B28/06
• 分類號(hào): C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 11225 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張皓;王智<國際申請>=<國際公布>=<

1.一種硅錠的制備方法，該方法包括以下步驟：

步驟1：將硅料、硼硅合金、磷硅合金和金屬鎵按照硅：硼：磷：鎵的摩爾比為1：(1.18×10^-5至1.22×10^-5)：(7.5×10^-6至7.7×10^-6)：(4.5×10^-7至4.7×10^-7)的比例混合；

步驟2：將混合后的物料放置在具有下隔熱籠的多晶爐中，在1450-1550℃下加熱10-30小時(shí)使物料融化；

步驟3：打開下隔熱籠，在1400-1440℃下使混合物料定向凝固；

步驟4：在1365-1375℃下退火2.5-3.5小時(shí)；

步驟5：以1-3℃/min的速度冷卻降溫以得到從底部到頂部電阻率分布一致的硅錠。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

在步驟1中，所述硅料、硼硅合金、磷硅合金和金屬鎵的比例為以摩爾比計(jì)硅：硼：磷：鎵＝1：(1.2×10^-5)：(7.6×10^-6)：(4.6×10^-7)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

在步驟4中，退火溫度為1370℃，和/或

退火時(shí)間為3小時(shí)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

在步驟5中，冷卻速率為1.2℃/min。

5.一種根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的方法制備的硅錠。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅錠，其電阻率衰減小于0.4歐姆·cm³。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅錠，其少子壽命平均值大于等于6μs。

8.一種多晶硅片的制備方法，該方法包括：將根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的方法制備的硅錠經(jīng)過開方、切片后得到多晶硅片。

9.一種多晶硅片，其通過將根據(jù)權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的硅錠經(jīng)過開方、切片后得到。