[發明專利]非易失性存儲器裝置及其控制方法有效
| 申請號: | 201610912708.3 | 申請日: | 2016-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN107015915B | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發明(設計)人: | 戴穎煜;朱江力 | 申請(專利權)人: | 威盛電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性存儲器 裝置 及其 控制 方法 | ||
非易失性存儲器裝置及其控制方法。該非易失性存儲器裝置包括一非易失性存儲器以及一控制器。非易失性存儲器具有多個已寫滿區塊以及多個未寫滿區塊。控制器根據非易失性存儲器在一第一時間點與一第二時間點之間的一寫入工作量(write workload),計算出一比例值,再根據該比例值對已寫滿區塊中的一部分區塊進行一循讀操作(patrol read)。
技術領域
本發明涉及一種非易失性存儲器裝置,特別涉及一種對部分已寫滿的區塊(closed block)進行循讀操作(patrol read)的非易失性存儲器裝置。
背景技術
存儲器主要分為兩大類,一是易失性存儲器(Volatile memory),另一是非易失性存儲器(Non-Volatile memory)。易失性存儲器的存取速度快,但在關機后,易失性存儲器所存儲的數據將會全部遺失。相反地,即使關機,非易失性存儲器仍可維持數據。然而,非易失性存儲器里的數據可能會因放置的時間太久而發生電荷流失(charge loss),因而無法從非易失性存儲器中讀出正確的數據。
發明內容
本發明提供一種非易失性存儲器裝置,包括一非易失性存儲器以及一控制器。非易失性存儲器具有多個已寫滿區塊以及多個未寫滿區塊。控制器根據非易失性存儲器在一第一時間點與一第二時間點之間的一寫入工作量(write workload),計算出一比例值,再根據該比例值對已寫滿區塊中的一部分區塊進行一循讀操作(patrol read)。
本發明還提供一種控制方法,適用于一非易失性存儲器。非易失性存儲器具有多個已寫滿區塊以及多個未寫滿區塊。本發明的控制方法包括,根據該非易失性存儲器在一第一時間點以及一第二時間點之間的一寫入工作量,計算一比例值;以及根據該比例值對該等已寫滿區塊的一部分區塊進行一循讀操作。
為讓本發明的特征和優點能更明顯易懂,下文特舉出優選實施例,并配合附圖,作詳細說明如下:
附圖說明
圖1為本發明的控制系統的示意圖。
圖2A及2B為本發明的已寫滿區塊的示意圖。
圖3及4為本發明的控制方法的流程示意圖。
【符號說明】
100:控制系統;
110:主機裝置;
120:非易失性存儲器裝置;
121:控制器;
122:非易失性存儲器;
BK0~BL100:區塊;
S311~S312、S411~S414:步驟。
具體實施方式
圖1為本發明的控制系統的示意圖。如圖所示,控制系統100包括一主機裝置(host)110以及一非易失性存儲器裝置120。主機裝置110寫入數據至非易失性存儲器裝置120中或是讀取非易失性存儲器裝置120所存儲的數據。本發明并不限定非易失性存儲器裝置120的種類。在一可能實施例中,非易失性存儲器裝置120為一嵌入式多媒體卡(EmbeddedMultiMediaCard;eMMC),然不限于此。
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