[發明專利]有源原子供應源和具有其的集成電路

有效

• 申請號: 201610912553.3
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN107039399B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 林明賢;歐東尼
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路(IC)，包括：

第一導體，位于所述集成電路的一層中；

第二導體，位于所述集成電路的另一層中；

第一金屬塞，連接所述第一導體和所述第二導體；

原子源導體(ASC)，位于所述集成電路的一層中且接合至所述第一導體；以及

第二金屬塞，將所述原子源導體連接至所述集成電路的電壓源，

其中，所述第一導體和所述原子源導體被配置為偏置連接至不同的電壓，以建立從所述第二金屬塞到所述第一金屬塞的電子路徑，使得所述原子源導體充當用于所述第一導體的有源原子源。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述原子源導體接合至所述第一導體的端部，且沿著所述第一導體的縱軸延伸。

3.根據權利要求2所述的集成電路，其中，所述原子源導體和所述第一導體具有相同寬度。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述原子源導體沿著與所述第一導體的縱軸垂直的方向接合至所述第一導體。

5.根據權利要求4所述的集成電路，其中，所述原子源導體在鄰近所述第一金屬塞處接合至所述第一導體。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述原子源導體的長度在0.02μm至2μm的范圍內。

7.根據權利要求1所述的集成電路，還包括：

另一原子源導體，位于所述集成電路的一層中并接合至所述第一導體；以及

第三金屬塞，將所述另一原子源導體連接至所述集成電路的電壓源，

其中，所述另一原子源導體充當所述第一導體的另一有源原子源。

8.根據權利要求7所述的集成電路，其中，所述原子源導體和所述另一原子源導體在鄰近所述第一金屬塞處并且在所述第一導體的相對側處接合至所述第一導體。

9.根據權利要求7所述的集成電路，其中，

所述原子源導體接合至所述第一導體的端部，并且沿著所述第一導體的縱軸延伸；以及

所述另一原子源導體沿著垂直于所述第一導體的縱軸的方向接合至所述第一導體。

10.根據權利要求1所述的集成電路，其中，當所述集成電路運行時，所述不同電壓被配置為使得所述電子路徑總是從所述第二金屬塞到所述第一金屬塞。

11.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述第一金屬塞和所述第二金屬塞并行設置，并且相互接觸。

12.一種集成電路(IC)，包括：

第一導體，位于所述集成電路的一層中；

第一金屬塞、第二金屬塞和第三金屬塞，將所述第一導體連接至所述集成電路的一個或多個其他導體；

第一原子源導體(ASC)，位于所述集成電路的一層中，且在鄰近所述第一金屬塞處接合至所述第一導體；

第四金屬塞，將所述第一原子源導體連接至所述集成電路的電壓源；

第二原子源導體，位于所述集成電路的一層中，且在鄰近所述第二金屬塞處接合至所述第一導體；以及

第五金屬塞，將所述第二原子源導體連接至所述集成電路的電壓源，

其中，所述第一導體、所述第一原子源導體和所述第二原子源導體被配置為偏置連接至不同的電壓，以建立從所述第四金屬塞到所述第一金屬塞以及從所述第五金屬塞到所述第二金屬塞的電子路徑，使得所述第一原子源導體和所述第二原子源導體充當用于所述第一導體的有源原子源。

13.根據權利要求12所述的集成電路，其中，所述第三金屬塞設置在所述第一金屬塞和所述第二金屬塞之間。

14.根據權利要求12所述的集成電路，其中，所述第一原子源導體和所述第二原子源導體設置在所述第一導體的相對側上。