[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610911713.2 | 申請日: | 2016-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN107039471B | 公開(公告)日: | 2022-04-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山下雄一郎;莊君豪;角博文 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器結(jié)構(gòu),包括:
襯底,具有前側(cè)和背側(cè);
感光區(qū)域,形成在所述襯底中;
前側(cè)隔離結(jié)構(gòu),形成在所述襯底的前側(cè)處;
背側(cè)隔離結(jié)構(gòu),形成在所述襯底的背側(cè)處并且圍繞所述感光區(qū)域;以及
存儲節(jié)點,形成在所述襯底的鄰近所述感光區(qū)域的前側(cè)處并且垂直地嵌入在所述襯底的前側(cè)和所述背側(cè)隔離結(jié)構(gòu)之間的位置處,并且所述存儲節(jié)點與所述背側(cè)隔離結(jié)構(gòu)垂直重疊,
其中,所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)由第一材料制成并且所述背側(cè)隔離結(jié)構(gòu)由不同于所述第一材料的第二材料制成,并且所述第二材料圍繞所述感光區(qū)域,
其中,所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)形成為在所述感光區(qū)域周圍并且具有開口,使得未通過所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)隔離所述感光區(qū)域的部分和存儲節(jié)點,
其中,所述感光區(qū)域的底部的寬度大于所述感光區(qū)域的上部的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),還包括:
光屏蔽層,形成在所述襯底的背側(cè)處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),還包括:
覆蓋層,形成在所述襯底的前側(cè)上方以覆蓋所述感光區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),還包括:
阻擋結(jié)構(gòu),與所述覆蓋層和所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)直接接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),還包括:
柵極結(jié)構(gòu),形成在所述襯底的前側(cè)上;
其中,所述存儲節(jié)點形成為鄰近所述柵極結(jié)構(gòu),
其中,所述柵極結(jié)構(gòu)的一部分與所述感光區(qū)域重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),其中,所述第一材料形成在所述第二材料之上。
7.一種圖像傳感器結(jié)構(gòu),包括:
襯底,具有前側(cè)和背側(cè);
感光區(qū)域,形成在所述襯底中;
前側(cè)隔離結(jié)構(gòu),由第一材料制成,所述第一材料在所述襯底的前側(cè)處部分地圍繞在所述感光區(qū)域;
背側(cè)隔離結(jié)構(gòu),由第二材料制成,所述第二材料在所述襯底的背側(cè)處完全圍繞所述感光區(qū)域;
柵極結(jié)構(gòu),形成在所述襯底的前側(cè)上;
覆蓋層,形成在所述襯底的前側(cè)上方以覆蓋所述感光區(qū)域和所述柵極結(jié)構(gòu);
其中,所述第一材料是介電材料,并且所述第二材料是金屬,以及所述第一材料與所述第二材料直接接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),其中,所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)具有開口區(qū)域,使得所述感光區(qū)域的一部分未被所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)圍繞。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),還包括:
存儲節(jié)點,形成在所述襯底的前側(cè)處,
其中,所述存儲節(jié)點形成為鄰近所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)的開口區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),還包括:
存儲節(jié)點,形成在所述襯底的前側(cè)處,其中,所述存儲節(jié)點未與所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)的開口區(qū)域?qū)?zhǔn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),還包括:
導(dǎo)電結(jié)構(gòu),形成在所述襯底的前側(cè)上方,
其中,所述存儲節(jié)點和所述感光區(qū)域通過所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),還包括:
中間區(qū)域,形成在所述襯底中,其中,所述感光區(qū)域形成在所述中間區(qū)域的一側(cè)處,并且所述存儲節(jié)點形成在所述中間區(qū)域的另一側(cè)處。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器結(jié)構(gòu),還包括:
第二光電二極管區(qū)域,形成為鄰近所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)的開口區(qū)域,
其中,所述感光區(qū)域包括第一光電二極管區(qū)域,并且所述第一光電二極管區(qū)域和所述第二光電二極管區(qū)域形成在所述前側(cè)隔離結(jié)構(gòu)的開口區(qū)域的相對側(cè)處。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





