[發明專利]一種高調制效率的鈮酸鋰薄膜電光調制器

在審

• 申請號: 201610911122.5
• 申請日: 2016-10-18
• 公開（公告）號: CN107957631A
• 公開（公告）日: 2018-04-24
• 發明（設計）人: 李萍;史云玲
• 申請（專利權）人: 天津領芯科技發展有限公司
• 主分類號: G02F1/035
• 分類號: G02F1/035
• 代理公司: 天津市三利專利商標代理有限公司12107
• 代理人: 張義

1.一種高調制效率的鈮酸鋰薄膜電光調制器，其特征在于，基底材料(1)、下層電極(2)、下緩沖層(3)、鈮酸鋰薄膜(4)、光學波導(5)、上緩沖層(6)、上層電極(7)，所述上層電極(7)為信號級，包括正電極和負電極，正電極和負電極分別位于左右兩側光學波導(5)上方，所述下層電極為地電極，所述鈮酸鋰薄膜(4)為具有單晶結構的、厚度為0.1μm至10μm的鈮酸鋰薄膜材料。

2.根據權利要求1所述的高調制效率的鈮酸鋰薄膜電光調制器，其特征在于，所述鈮酸鋰薄膜(4)由左半側薄膜部分和右半側薄膜部分組成，其中左半側薄膜部分具有+c極化方向或-c極化方向，相對應地，右半側薄膜部分具有-c極化方向或+c極化方向。

3.根據權利要求1或2所述的高調制效率的鈮酸鋰薄膜電光調制器，其特征在于，所述基底材料(1)采用厚度為0.1mm至2mm的z切鈮酸鋰體晶材料；所述下層電極(2)采用厚度為0.1um至30um的金或鋁金屬薄膜；所述下緩沖層(3)和上緩沖層(6)采用厚度為0.1um至5um的二氧化硅或氧化鋁薄膜；所述光學波導(5)為鈦擴散光學波導或退火質子交換光學波導，波導擴散寬度為1至20μm，擴散深度為1至20μm；所述上層電極(7)采用厚度為0.1um至30um的金或鋁金屬薄膜。

4.根據權利要求1或2所述的高調制效率的鈮酸鋰薄膜電光調制器，其特征在于，所述基底材料(1)、下層電極(2)以及下緩沖層(3)采用0.1mm至2mm低阻硅晶體材料，所述光學波導(5)為鈦擴散光學波導或退火質子交換光學波導，波導擴散寬度為1至20μm，擴散深度為1至20μm；所述上緩沖層(6)采用厚度為0.1um至5um的二氧化硅或氧化鋁薄膜；所述上層電極(7)采用厚度為0.1um至30um的金或鋁金屬薄膜。

5.根據權利要求4所述的高調制效率的鈮酸鋰薄膜電光調制器，其特征在于，所述低阻硅基底材料通過其低阻值特性起到了下層電極的作用，并通過導電膠將硅基底與金屬管殼粘接使低阻硅基底成為地電極。

6.根據權利要求1或2所述的高調制效率的鈮酸鋰薄膜電光調制器，其特征在于，通過鍵合工藝與減薄工藝相結合的工藝手段制備。