[發明專利]一種多嵌段聚氨酯形狀記憶高分子材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201610909927.6
• 申請日: 2016-10-19
• 公開（公告）號: CN107964085A
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 馬海清;崔成杰;謝眾
• 申請（專利權）人: 黑龍江鑫達企業集團有限公司
• 主分類號: C08G18/73
• 分類號: C08G18/73;C08G18/76;C08G18/66;C08G18/42;C08G18/32;C08G63/08
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1.基于丙交酯和1,4-對二氧環己酮的多嵌段聚氨酯形狀記憶高分子材料的合成方法，其合成包括以下兩部分：

端羥基聚（丙交酯-co-1,4-對二氧環己酮）軟段的制備：以辛酸亞錫為引發劑，小分子二醇為助引發劑，由丙交酯和1,4-對二氧環己酮在130-150℃下真空熔融開環聚合而成，反應時間8-36小時；其中，小分子二醇選自乙二醇、丁二醇、二乙醇胺或其他含兩個羥基的小分子物質；調節小分子二醇的用量，以及丙交酯和1,4-對二氧環己酮的摩爾比，將端羥基聚（丙交酯-co-1,4-對二氧環己酮）軟段的分子量調節在2000-20000之間；

多嵌段聚氨酯的制備：將端羥基聚（丙交酯-co-1,4-對二氧環己酮）與二異氰酸酯、辛酸亞錫按比例混合均勻后，先反應形成兩端含異氰酸酯的預聚體，然后再加入小分子二醇或小分子二胺，制得基于丙交酯和1,4-對二氧環己酮的多嵌段聚氨酯形狀記憶聚合物；二異氰酸酯與端羥基聚（丙交酯-co-1,4-對二氧環己酮）的摩爾用量之比控制在3:1-1.1：1，辛酸亞錫與端羥基聚（丙交酯-co-1,4-對二氧環己酮）的摩爾用量之比控制在0.001~0.01，而小分子二醇或小分子二胺的摩爾用量為二異氰酸酯摩爾用量的0.4~1.0。

2.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于：所述二異氰酸酯的摩爾用量等于端羥基聚（丙交酯-co-1,4-對二氧環己酮）與小分子二醇或小分子二胺的摩爾用量之和。

3.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于：所述二異氰酸酯的摩爾用量等于端羥基聚（丙交酯-co-1,4-對二氧環己酮）與小分子二醇或小分子二胺的摩爾用量之和，且二異氰酸酯的摩爾用量與端羥基聚的摩爾用量之比為2:1，二異氰酸酯的摩爾用量與小分子二醇或小分子二胺的摩爾用量之比為2:1。

4.如權利要求1、2或3所述的合成方法，其特征在于：所述二異氰酸酯選自脂肪族二異氰酸酯、芳香族二異氰酸酯、脂環族二異氰酸酯及其混合物。

5.如權利要求4所述的合成方法，其特征在于：所述脂肪族二異氰酸酯是1,6-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯或4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯；所述芳香族二異氰酸酯是4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯或苯二亞甲基二異氰酸酯。

6.如權利要求5所述的合成方法，其特征在于：所述小分子二元醇是乙二醇、丙二醇或丁二醇；所述小分子二胺是乙二胺、丙二胺、丁二胺或己二胺。