[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610908580.3
• 申請日: 2016-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN107039526B
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尤志豪;楊世海;王圣禎
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 11409 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一鰭場效應(yīng)晶體管，包括在第一方向上延伸的第一鰭結(jié)構(gòu)以及包括第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括在所述第一鰭結(jié)構(gòu)上方形成的第一柵極介電層和在所述第一柵極介電層上方形成的第一柵電極層，且所述第一柵極結(jié)構(gòu)在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及

第二鰭場效應(yīng)晶體管，包括在所述第一方向上延伸的第二鰭結(jié)構(gòu)以及包括第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括在所述第二鰭結(jié)構(gòu)上方形成的第二柵極介電層和在所述第二柵極介電層上方形成的第二柵電極層，且所述第二柵極結(jié)構(gòu)在所述第二方向上延伸；其中：

所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)沿著所述第二方向?qū)?zhǔn)，

所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)通過由絕緣材料制成的分離插塞分離，所述分離插塞在所述第二方向上與所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)接觸，以及

當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，所述分離插塞在所述第一方向上的寬度小于所述第一柵極結(jié)構(gòu)在所述第一方向上的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，所述分離插塞在所述第一方向上的所述寬度小于所述第一柵電極層在所述第一方向上的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

側(cè)層設(shè)置在所述分離插塞的在所述第一方向上的側(cè)面上，以及

形成所述分離插塞的核心部分的材料不同于形成所述側(cè)層的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述分離插塞的所述核心部分由基于氮化硅的材料制成且所述側(cè)層由氧化硅制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述分離插塞的在所述第二方向上的側(cè)面分別與所述第一柵極介電層和所述第二柵極介電層接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中：

在所述分離插塞的底部下方提供底層，以及

形成所述底層的材料與形成所述側(cè)層的所述材料相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，在側(cè)壁間隔件層和額外的絕緣層之間沿著所述第一方向設(shè)置所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)以及所述分離插塞。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

在隔離絕緣層的上表面上設(shè)置所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)，以及

所述分離插塞的底部位于所述隔離絕緣層的所述上表面下方。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述第一柵極結(jié)構(gòu)在所述第二方向上具有第一端和第二端，

所述第一柵極結(jié)構(gòu)的所述第一端與所述分離插塞接觸，以及

所述第一柵極結(jié)構(gòu)的所述第二端與不同于所述分離插塞的層間介電層接觸。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一鰭場效應(yīng)晶體管，包括半導(dǎo)體襯底的第一溝道區(qū)域以及包括第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括在所述第一溝道區(qū)域上方形成的第一柵極介電層和在所述第一柵極介電層上方形成的第一柵電極層，且所述第一柵極結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸；以及

第二鰭場效應(yīng)晶體管，包括所述半導(dǎo)體襯底的第二溝道區(qū)域以及包括第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括在所述第二溝道區(qū)域上方形成的第二柵極介電層和在所述第二柵極介電層上方形成的第二柵電極層，且所述第二柵極結(jié)構(gòu)在所述第一方向上延伸；其中：

所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)沿著所述第一方向?qū)?zhǔn)，

所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)通過由絕緣材料制成的分離插塞分離，以及

當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，所述分離插塞在垂直于所述第一方向的第二方向上的寬度小于所述第一柵極結(jié)構(gòu)在所述第二方向上的寬度，所述分離插塞在所述第二方向上與所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)接觸。