[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光組件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610908497.6
• 申請(qǐng)日: 2016-10-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106931318B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖本逸;陳家泰;蔡文嘉;楊靜怡;林艾玲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 綠點(diǎn)高新科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): F21K9/20
• 分類(lèi)號(hào): F21K9/20;F21K9/90;F21V29/89;F21V29/76;F21V29/71;F21V23/00;F21Y115/10
• 代理公司: 11283 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 嚴(yán)政;劉依云

1.一種發(fā)光組件，包含：一個(gè)金屬散熱件、一層絕緣層、一層電路圖案層、至少一層導(dǎo)熱介質(zhì)層，及至少一個(gè)發(fā)光二極體晶粒；其特征在于：該絕緣層形成于該金屬散熱件的至少部份表面，該電路圖案層形成于該絕緣層上且具有一個(gè)預(yù)定圖案，該電路圖案層包括一層形成于該絕緣層上且含有活性金屬的活化層，與至少一層形成于該活化層上的非電鍍金屬層，該導(dǎo)熱介質(zhì)層形成于該金屬散熱件未形成有該絕緣層的表面，每一個(gè)該發(fā)光二極體晶粒包括一底部、一與該底部相對(duì)的頂部，與自該頂部延伸的一條導(dǎo)線，每一個(gè)該發(fā)光二極體晶粒位于每一層該導(dǎo)熱介質(zhì)層上，并透過(guò)該導(dǎo)熱介質(zhì)層固設(shè)于該金屬散熱件上，每一個(gè)該發(fā)光二極體晶粒的部份底部與該電路圖案層直接接觸而電連接，該頂部經(jīng)由該導(dǎo)線以打線方式與該電路圖案層電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于：該金屬散熱件為散熱鰭片。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于：該金屬散熱件的表面具有一曲面。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于：每一層該導(dǎo)熱介質(zhì)層為導(dǎo)熱膏。

5.一種發(fā)光組件的制作方法，其特征在于，包含：一步驟(a)在一個(gè)金屬散熱件的部份表面形成一層絕緣層，一步驟(b)在該絕緣層上形成一層具有一個(gè)預(yù)定圖案的電路圖案層，一步驟(c)在該金屬散熱件未形成有該絕緣層的表面形成至少一層導(dǎo)熱介質(zhì)層，一步驟(d)透過(guò)該至少一層導(dǎo)熱介質(zhì)層接合至少一個(gè)發(fā)光二極體晶粒，及一步驟(e)將該至少一個(gè)發(fā)光二極體晶粒與該電路圖案層形成電連接，以制得該發(fā)光組件，該步驟(d)的該至少一個(gè)發(fā)光二極體晶粒包括一底部、一與該底部相對(duì)的頂部，與自該頂部延伸的至少一條導(dǎo)線，該底部接合于該導(dǎo)熱介質(zhì)層并與該電路圖案層直接接觸而電連接，并透過(guò)該導(dǎo)熱介質(zhì)層固設(shè)于該金屬散熱件上；且于該步驟(e)中，每一個(gè)該發(fā)光二極體晶粒的該頂部經(jīng)由該至少一條導(dǎo)線以打線方式與該電路圖案層電連接。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光組件的制作方法，其特征在于：該步驟(b)是先在該絕緣層上形成一層含有活性金屬的活化層，再于該活化層上形成至少一層非電鍍金屬層，該活化層及該至少一層非電鍍金屬層共同構(gòu)成該電路圖案層。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光組件的制作方法，其特征在于：該步驟(b)是先在該絕緣層上形成具有一層預(yù)定圖案的活化層，再于該活化層上形成該至少一層非電鍍金屬層，而得到該電路圖案層。

8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光組件的制作方法，其特征在于：該步驟(b)是先在該絕緣層上形成一層完整的活化層，再于該活化層的表面形成至少一層非電鍍金屬層，而后自該至少一層非電鍍金屬層向下將該至少一層非電鍍金屬層及該活化層的預(yù)定部份移除，以令殘留的該至少一層非電鍍金屬層及該活化層共同構(gòu)成該電路圖案層。

9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光組件的制作方法，其特征在于：每一個(gè)該發(fā)光二極體晶粒的底部接合于該導(dǎo)熱介質(zhì)層，該頂部經(jīng)由二導(dǎo)線以打線方式與該電路圖案層形成電連接。