[發(fā)明專利]一種MoO3/MoS2/LiF柔性異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610908370.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106409935B | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾祥斌;李寒劍;徐素娥;郭富城;陳曉曉;王文照;丁佳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/032 | 分類號(hào): | H01L31/032;H01L31/0725;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京連城創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11254 | 代理人: | 郝學(xué)江 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 moo3 mos2 lif 柔性 異質(zhì)結(jié) 太陽(yáng)能電池 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種柔性太陽(yáng)能電池及其制備方法,既屬于柔性薄膜材料與器件領(lǐng)域,也屬于新能源材料領(lǐng)域。
背景技術(shù)
當(dāng)今社會(huì),能源危機(jī)和環(huán)境污染成為人類面臨的兩大難題,太陽(yáng)能作為理想的可再生能源受到了許多國(guó)家的重視。對(duì)于太陽(yáng)能電池來說,較高的轉(zhuǎn)換效率和較低的生產(chǎn)成本是兩個(gè)最為關(guān)鍵的研發(fā)目標(biāo)。目前,硅是最常用的太陽(yáng)能電池材料,制備的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率高,技術(shù)也相對(duì)成熟,但由于制備成本居高不下,亟待尋找一種新型低成本高效率半導(dǎo)體材料和電池。
二硫化鉬MoS2是一種儲(chǔ)量豐富的天然礦物,價(jià)格低廉,具有良好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,且有類似于石墨烯的二維層狀結(jié)構(gòu);在可見光范圍具有寬的帶隙且?guī)犊烧{(diào)的物理性質(zhì)、較高的載流子遷移率等特點(diǎn),非常適合做成太陽(yáng)能電池。三氧化鉬MoO3和氟化鋰LiF被廣泛地應(yīng)用于有機(jī)聚合物太陽(yáng)能電池中作為空穴傳輸層和電子傳輸層,MoO3能有效地傳輸空穴到陽(yáng)極并且阻擋電子向陽(yáng)極傳輸,而LiF不僅能有助于電子的傳輸,還能對(duì)電子空穴激發(fā)層形成保護(hù)。
本專利提出了一種基于MoO3、LiF薄膜及MoS2、石墨烯層狀結(jié)構(gòu)的新型柔性異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,采用簡(jiǎn)單的制備方法,可以制備出性能優(yōu)越價(jià)格低廉且應(yīng)用廣泛的柔性電池。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所解決的問題在于提供一種MoO3/MoS2/LiF柔性異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池和制備方法,本發(fā)明電池的結(jié)構(gòu)為:聚酰亞胺柔性襯底/Al背極/MoO3空穴傳輸層/MoS2電子空穴激發(fā)層/LiF電子傳輸層/石墨烯透明導(dǎo)電層/Al柵極,實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能的有效轉(zhuǎn)換。相對(duì)于MoS2/硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,本發(fā)明完全取代硅材料且無需繁瑣工藝進(jìn)行摻雜,具有簡(jiǎn)單的生產(chǎn)工藝和更低的制備成本且具有更易開發(fā)應(yīng)用的柔性特點(diǎn);相對(duì)于有機(jī)聚合物太陽(yáng)能電池,本發(fā)明是以具有直接帶隙和良好光吸收范圍的二維層狀無機(jī)MoS2層作為電子空穴激發(fā)層的無機(jī)太陽(yáng)能電池,更加穩(wěn)定高效,壽命更長(zhǎng),易于制備和開發(fā)應(yīng)用。
本發(fā)明提供的技術(shù)方案是:
一種MoO3/MoS2/LiF柔性異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,包括柔性襯底、金屬背極、空穴傳輸層、無機(jī)電子空穴激發(fā)層、電子傳輸層、透明導(dǎo)電層、金屬柵極,其中,所述無機(jī)電子空穴激發(fā)層為MoS2。
進(jìn)一步的,所述的空穴傳輸層為MoO3,所述電子傳輸層為L(zhǎng)iF。
進(jìn)一步的,所述的柔性襯底為聚酰亞胺,所述的透明導(dǎo)電層是石墨烯。
進(jìn)一步的,所屬的金屬背極是Al或Ag,金屬柵極是Al或Ag。
進(jìn)一步的,所述金屬Al背極厚度為 50-100 nm;MoO3層厚度為10-80 nm;MoS2層厚度0.65-1.5 nm;LiF層厚度為1.5-5 nm;石墨烯層厚度為 0.5-2 nm;Al柵極層厚度為50-100 nm。
同時(shí),本發(fā)明還提供了一種MoO3/MoS2/LiF柔性異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法,包括以下步驟:
(1)清洗柔性襯底并烘干;
(2)用真空鍍膜機(jī)采用熱蒸發(fā)的方式在柔性襯底上蒸鍍Al薄膜;
(3)制備MoO3溶液,并用勻膠機(jī)旋涂在蒸有Al膜的柔性襯底上;
(4)在臥式管式爐中,CVD法原位硫化生成MoS2層同時(shí)對(duì)MoO3層進(jìn)行退火,在MoO3層上方形成MoS2電子空穴激發(fā)層;
(5)真空鍍膜機(jī)采用熱蒸發(fā)的方式在MoS2層上蒸鍍LiF電子傳輸層;
(6)在LiF電子傳輸層上方利用勻膠機(jī)采用旋涂的方法形成石墨烯透明導(dǎo)電層;
(7)真空鍍膜機(jī)采用熱蒸發(fā)的方式在石墨烯透明導(dǎo)電層上方用掩模版蒸鍍形成柵電極。
進(jìn)一步的,制備溶液法MoO3并旋涂至蒸有Al膜的柔性襯底形成MoO3層的流程為:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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