[發明專利]在晶片的表面形成曲面的方法在審
| 申請號： | 201610908270.1 | 申請日： | 2016-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN107958836A | 公開（公告）日： | 2018-04-24 |
| 發明（設計）人： | 徐元俊 | 申請（專利權）人： | 上海新微技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙)11535 | 代理人： | 劉元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 表面 形成 曲面 方法 | ||
1.一種在晶片的表面形成曲面的方法，其特征在于，該方法包括：
在晶片的表面形成掩模圖形，所述掩模圖形具有至少兩個相鄰的掩模開口，所述晶片的表面從所述掩模開口露出；
對從所述掩模開口露出的所述晶片的表面進行刻蝕，以使所述晶片形成與所述掩模開口對應的槽，相鄰的所述槽之間形成有所述晶片的材料形成的隔離部；
對所述晶片進行氧化，以將所述隔離部完全轉化為氧化物；以及
去除由所述隔離部所轉化成的氧化物。
2.如權利要求1所述的在晶片的表面形成曲面的方法，其特征在于，該方法還包括：
在去除由所述隔離部所轉化成的氧化物之后，至少進行一次如下的步驟：
對所述晶片的與所述槽以及隔離部對應的區域進行氧化，以形成氧化層，并去除所述氧化層。
3.如權利要求1所述的在晶片的表面形成曲面的方法，其特征在于，在對從所述掩模開口露出的所述晶片的表面進行刻蝕的步驟中，
對不同尺寸的所述掩模開口的刻蝕時間相同。
4.如權利要求3所述的在晶片的表面形成曲面的方法，其特征在于，
不同尺寸的所述掩模開口對應不同深度的所述槽。
5.如權利要求4所述的在晶片的表面形成曲面的方法，其特征在于，
在所述掩模開口的尺寸為100微米以內的情況下，尺寸越大的所述掩模開口對應越深的所述槽。
6.如權利要求1所述的在晶片的表面形成曲面的方法，其特征在于，
不同位置的隔離部具有相同的寬度或不同的寬度。
7.如權利要求1所述的在晶片的表面形成曲面的方法，其特征在于，
所述掩模開口的尺寸是根據目標曲面，所述目標曲面不同位置處對應的槽的深度，以及槽的深度和掩模開口的尺寸之間的關系來確定的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
