[發明專利]晶圓鍵合方法及其鍵合裝置

有效

• 申請號: 201610908069.3
• 申請日: 2016-10-18
• 公開（公告）號: CN107958839B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 三重野文健
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/268;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 余昌昊

1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供氮化鎵晶圓與碳化硅晶圓；

在所述氮化鎵晶圓與碳化硅晶圓上均形成無定型碳化硅；

將所述氮化鎵晶圓與碳化硅晶圓形成有所述無定型碳化硅的一面進行鍵合，并且在鍵合過程中進行微波退火。

2.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述氮化鎵晶圓包括單晶硅襯底，以及形成在所述單晶硅襯底上的氮化鎵層。

3.如權利要求2所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述碳化硅晶圓包括碳化硅層，所述碳化硅層為多晶碳化硅。

4.如權利要求3所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，在所述碳化硅晶圓上形成有重摻雜的無定型碳化硅。

5.如權利要求4所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，鍵合之后還包括：對所述單晶硅襯底進行研磨，至暴露出所述氮化鎵層。