[發(fā)明專利]薄膜晶體管、顯示裝置及薄膜晶體管的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610907445.7
• 申請日: 2016-10-18
• 公開（公告）號: CN107017287B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田中淳
• 申請（專利權(quán)）人: 天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/34
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華;何月華

1.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

絕緣基板；

氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層設(shè)置在所述絕緣基板上并且包括溝道區(qū)域、源極區(qū)域以及漏極區(qū)域，所述源極區(qū)域以及所述漏極區(qū)域具有比所述溝道區(qū)域低的電阻；

柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體層上；

柵極電極，所述柵極電極設(shè)置在所述柵極絕緣膜上；

層間絕緣膜，所述層間絕緣膜設(shè)置在所述柵極電極、所述柵極絕緣膜以及所述氧化物半導(dǎo)體層上并且包含氫；

源極電極，所述源極電極經(jīng)由形成于所述層間絕緣膜中的接觸孔電連接到所述源極區(qū)域；以及

漏極電極，所述漏極電極經(jīng)由形成于所述層間絕緣膜中的接觸孔電連接到所述漏極區(qū)域，

其中，

所述柵極絕緣膜包括一層或兩層，

所述柵極絕緣膜的至少一層是位于與所述源極電極和所述漏極電極分離的位置上的圖案化的柵極絕緣膜，

所述圖案化的柵極絕緣膜的下表面在溝道長度方向上的長度比所述柵極電極的下表面在所述溝道長度方向上的長度長，

所述圖案化的柵極絕緣膜的上表面在所述溝道長度方向上的端部與所述柵極電極的下表面在所述溝道長度方向上的端部分離，

所述圖案化的柵極絕緣膜的下表面在所述溝道長度方向上的長度比所述溝道區(qū)域在所述溝道長度方向上的長度長，

從所述圖案化的柵極絕緣膜的源極區(qū)域側(cè)的端部到所述源極區(qū)域與所述溝道區(qū)域之間的邊界的距離等于從所述圖案化的柵極絕緣膜的漏極區(qū)域側(cè)的端部到所述漏極區(qū)域和所述溝道區(qū)域之間的邊界的距離，

從所述柵極電極的源極區(qū)域側(cè)的端部到所述柵極絕緣膜中的具有最小尺寸的最小柵極絕緣膜的源極區(qū)域側(cè)的端部的距離等于所述柵極電極的漏極區(qū)域側(cè)的端部到所述最小柵極絕緣膜的漏極區(qū)域側(cè)的端部的距離，

所述溝道區(qū)域和所述源極區(qū)域之間的邊界以及所述溝道區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間的邊界位于所述柵極電極下方，和

所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域具有比所述溝道區(qū)域更大的氫濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

所述柵極絕緣膜的任一層至少部分地包括氧化鋁膜、氧化鉿膜、氧化鋯膜、氧化釔膜、氧化鑭膜和氧化鉭膜中的至少一者。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其中，

所述柵極絕緣膜或所述圖案化的柵極絕緣膜具有大于或等于50nm的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

所述柵極絕緣膜是氧化硅膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中，

所述柵極絕緣膜是氧化硅膜。

6.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

多個像素，所述多個像素中的每個像素分別包括薄膜晶體管，

其中，所述薄膜晶體管是根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管。

7.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

多個像素，所述多個像素中的每個像素分別包括薄膜晶體管，

其中，所述薄膜晶體管是根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的顯示裝置，其中，

所述顯示裝置是OLED顯示器。