[發(fā)明專利]蝕刻初級(jí)預(yù)制品的方法及由此得到的蝕刻初級(jí)預(yù)制品

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610905739.6
• 申請(qǐng)日: 2016-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106927686B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: I·米莉瑟維克;M·J·N·范·斯特勞倫;G·克拉比希斯;J·A·哈特蘇克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德拉克通信科技公司
• 主分類號(hào): C03C15/00
• 分類號(hào): C03C15/00;C03B37/012;C03C17/02;C03C17/23;C03C17/245;C03B37/025
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種用于蝕刻初級(jí)預(yù)制品的方法，所述方法包括如下步驟：

將外徑為OD_PP的初級(jí)預(yù)制品引入外徑為OD_ET且內(nèi)徑為ID_ET的中空蝕刻管的中央腔，使得初級(jí)預(yù)制品外表面的一部分沿成角度的方向與蝕刻管內(nèi)表面的一部分接觸，由此在初級(jí)預(yù)制品外表面的剩余部分和蝕刻管內(nèi)表面的剩余部分之間形成開(kāi)放區(qū)域；

將所述蝕刻管的中央縱向腔內(nèi)插有所述初級(jí)預(yù)制品的所述蝕刻管安裝到機(jī)床上，并將所述蝕刻管引入安裝在所述機(jī)床上的施加器的中央開(kāi)口內(nèi)，其中，所述施加器和所述蝕刻管沿軸向相對(duì)于彼此移動(dòng)；

使所述蝕刻管圍繞其軸轉(zhuǎn)動(dòng)，由此導(dǎo)致所述初級(jí)預(yù)制品在所述蝕刻管內(nèi)的反向轉(zhuǎn)動(dòng)；和

將電磁輻射耦合進(jìn)所述施加器，并且在蝕刻管被施加器包圍的部分內(nèi)產(chǎn)生在一個(gè)或多個(gè)行程期間沿蝕刻管的長(zhǎng)度方向往復(fù)平移的等離子體，其中，在至少一個(gè)行程的至少一部分行程期間，通過(guò)將含氟蝕刻氣體供應(yīng)至開(kāi)放區(qū)域來(lái)蝕刻所述初級(jí)預(yù)制品的外部，從而得到蝕刻的初級(jí)預(yù)制品，

其中，所述行程意為所述等離子體從蝕刻管可用長(zhǎng)度的一端出發(fā)，朝接近蝕刻管可用長(zhǎng)度的另一端的轉(zhuǎn)向點(diǎn)向前移動(dòng)，然后向一端移動(dòng)回來(lái)，從而完成一個(gè)行程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述初級(jí)預(yù)制品的外徑OD_PP和所述蝕刻管的內(nèi)徑ID_ET的差OD_PP-ID_ET為至少4毫米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述初級(jí)預(yù)制品的外徑OD_PP和所述蝕刻管的內(nèi)徑ID_ET的差OD_PP-ID_ET為至少6毫米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，所述方法包括至少10個(gè)行程。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中在所述至少一個(gè)行程的至少一部分行程期間供應(yīng)所述含氟蝕刻氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述含氟蝕刻氣體包含以下氣體或者由以下氣體組成：選自CCl₂F₂，CF₄，C₂F₆，C₄F₈，SF₆，NF₃，SO₂F₂，CHF₃，CClF₃，CCl₃F及其一種或多種組合的含氟氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述含氟蝕刻氣體包含與一種或多種載氣混合的含氟氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述含氟蝕刻氣體包含與氬氣和/或氧氣混合的含氟氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述含氟蝕刻氣體包含與氧氣混合的含氟氣體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述施加器和所述蝕刻管以平移速度為1～40米/秒沿軸向相對(duì)于彼此移動(dòng)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述蝕刻管的轉(zhuǎn)動(dòng)為連續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)或逐步轉(zhuǎn)動(dòng)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述蝕刻管的轉(zhuǎn)動(dòng)速度為每個(gè)行程0.1～2轉(zhuǎn)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述電磁輻射的功率為3～10千瓦。